SCV4275DSR4G 时间：2025/5/30 22:50:19 阅读：9

SCV4275DSR4G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够在高频工作条件下保持高效能表现。
　　这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，通过优化的栅极驱动设计，能够显著降低开关损耗并提高系统的整体效率。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ (典型值，Vgs=10V)
　　栅极电荷(Qg)：65nC
　　总电容(Ciss)：1920pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

SCV4275DSR4G 的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性：
　　1. 极低的导通电阻（4mΩ），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力（高达18A），适合大功率应用场景。
　　3. 快速开关特性，得益于较小的栅极电荷（65nC），能够减少开关过程中的能量损失。
　　4. 工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，确保在极端环境下的稳定性。
　　5. 封装采用 TO-247，具备良好的散热性能和机械强度。
　　6. 具有出色的抗雪崩能力和 ESD 防护性能，提升器件的耐用性。

应用

SCV4275DSR4G 广泛应用于需要高效率和高可靠性的场景中，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器的功率级电路。
　　3. 电动工具和工业电机驱动中的功率转换模块。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）及逆变器控制。
　　5. 太阳能逆变器中的功率调节单元。
　　6. 各类工业自动化设备中的负载切换与保护电路。