类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：60A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 12.8mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 42nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 2020pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

SCT6069D3 具备多项优异特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其导通电阻（Rds(on)）较低，可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 12.8mΩ，这使得该器件在高电流负载下仍能保持较低的功耗。此外，SCT6069D3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提高了电流密度和热稳定性，有助于实现更高的功率密度。
　　其次，该器件具备较高的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），典型值为 42nC，这有助于减少开关过程中的能量损耗，并提高整体系统效率。同时，输入电容（Ciss）较低，有助于降低高频应用中的驱动损耗。
　　在可靠性方面，SCT6069D3 提供了良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其最大工作温度可达 175°C，适合在工业级和汽车级应用中使用。此外，该器件的封装形式为 TO-263（D2Pak），便于散热并实现良好的机械稳定性，适用于高功率密度的 PCB 设计。
　　最后，SCT6069D3 还具备较强的短路耐受能力和过热保护能力，增强了器件在极端工况下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为高性能电源管理和功率转换应用的理想选择。

SCT6069D3 主要应用于各类高效率功率转换和控制电路中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效率的电压调节。此外，在同步整流器、电机驱动器和负载开关电路中，SCT6069D3 的低导通电阻和高电流能力能够有效降低损耗并提升系统性能。
　　该器件也广泛用于工业电源、服务器电源、电信设备、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中。例如，在汽车电子中，SCT6069D3 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载 DC-DC 转换模块，满足高温和高可靠性要求。
　　由于其优异的热性能和封装设计，SCT6069D3 也适用于需要高功率密度和良好散热能力的表面贴装 PCB 设计，是现代高功率电子产品中常用的功率开关器件。

SiR686DP-T1-GE3, IRF6729PbF, NexFET CSD17551Q5B