时间：2025/4/30 9:57:42
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SCT30N120 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET，由深圳基本半导体有限公司生产。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适用于高频、高效能功率转换应用。其封装形式通常为 TO-247-3，适合工业级和商业级应用场景。
额定电压：1200V
额定电流：30A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：85nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SCT30N120 使用 SiC 材料制造，具备比传统硅基 MOSFET 更优越的性能。
1. 高耐压能力：1200V 的额定电压使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：仅为 90mΩ，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷（85nC），能够实现更快的开关切换，减少开关损耗。
4. 宽温度范围：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的工作结温，适应各种恶劣环境。
5. 小巧封装：TO-247-3 封装设计简化了安装过程，并提供了良好的散热性能。
6. 稳定性高：在高频运行时保持稳定，适用于复杂的电力电子系统。
SCT30N120 主要应用于需要高效能和高频操作的领域。
1. 太阳能逆变器：用于将直流电转换为交流电，提供更高的转换效率。
2. 电动汽车（EV）充电设备：支持快速充电站中的高效功率转换。
3. 不间断电源（UPS）：提供可靠稳定的后备电源解决方案。
4. 工业电机驱动：实现精确控制与高效能源管理。
5. 开关电源（SMPS）：适用于各种高性能开关模式电源设计。
6. 电信基础设施：如基站电源等对可靠性要求较高的场景。
C3M0080120D, SCT35N120
