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SCT30N120 发布时间 时间:2025/4/30 9:57:42 查看 阅读:5

SCT30N120 是一款基于碳化硅(SiC)技术的 MOSFET,由深圳基本半导体有限公司生产。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特性,适用于高频、高效能功率转换应用。其封装形式通常为 TO-247-3,适合工业级和商业级应用场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:30A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:85nC
  反向恢复时间:60ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SCT30N120 使用 SiC 材料制造,具备比传统硅基 MOSFET 更优越的性能。
  1. 高耐压能力:1200V 的额定电压使其非常适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻:仅为 90mΩ,有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷(85nC),能够实现更快的开关切换,减少开关损耗。
  4. 宽温度范围:支持从 -55℃ 到 +175℃ 的工作结温,适应各种恶劣环境。
  5. 小巧封装:TO-247-3 封装设计简化了安装过程,并提供了良好的散热性能。
  6. 稳定性高:在高频运行时保持稳定,适用于复杂的电力电子系统。

应用

SCT30N120 主要应用于需要高效能和高频操作的领域。
  1. 太阳能逆变器:用于将直流电转换为交流电,提供更高的转换效率。
  2. 电动汽车(EV)充电设备:支持快速充电站中的高效功率转换。
  3. 不间断电源(UPS):提供可靠稳定的后备电源解决方案。
  4. 工业电机驱动:实现精确控制与高效能源管理。
  5. 开关电源(SMPS):适用于各种高性能开关模式电源设计。
  6. 电信基础设施:如基站电源等对可靠性要求较高的场景。

替代型号

C3M0080120D, SCT35N120

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SCT30N120参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥194.93000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA(标准)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)105 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1700 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)270W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装HiP247?
  • 封装/外壳TO-247-3