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SCT2280KEC 发布时间 时间:2025/12/25 11:56:11 查看 阅读:11

SCT2280KEC是一款由Silicon Craft Technology(SCT)推出的高效率、同步降压型DC-DC转换器芯片,专为广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备及便携式电源系统而设计。该器件采用先进的电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,同时提供出色的负载和线路调节性能。SCT2280KEC集成了低导通电阻的上下桥MOSFET,无需外置功率开关管即可实现高达3A的持续输出电流,显著减小了外部元件数量和PCB占用面积,提升了系统可靠性与集成度。芯片支持可调输出电压配置,通过外部电阻分压网络可将输出设定在0.6V至接近输入电压的范围内,满足多种供电需求。其工作频率典型值为500kHz,允许使用小型电感和陶瓷电容,进一步优化整体电源方案的尺寸与成本。此外,SCT2280KEC内置完善的保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、短路保护(SCP)以及输入欠压锁定(UVLO),确保在异常工况下安全运行。封装方面,该芯片采用紧凑的DFN-10L(3mm×3mm)封装,具有优良的热性能和空间利用率,适用于对散热和体积敏感的应用场景。

参数

型号:SCT2280KEC
  类型:同步整流降压DC-DC转换器
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.6V 至 输入电压 - 压差
  最大输出电流:3A
  开关频率:500kHz(典型值)
  工作效率:最高可达95%
  静态电流:约60μA
  反馈参考电压:0.6V(±1.5%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:DFN-10L(3mm × 3mm)
  保护功能:过流保护、短路保护、过温保护、输入欠压锁定

特性

SCT2280KEC采用了高性能的电流模式PWM控制架构,具备快速瞬态响应能力和良好的环路稳定性,能够有效应对负载突变带来的电压波动,确保输出电压始终保持在设定精度范围内。其内部集成的上管MOSFET和下管同步整流MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),大幅降低了导通损耗,尤其是在大电流输出时表现出更高的转换效率,相较于传统的异步整流方案,不仅减少了发热,也无需外接续流二极管,简化了外围电路设计。
  该芯片支持宽范围输入电压(4.5V~18V),可直接适配常见的12V系统电源或适配器供电,适用于从AC/DC适配器、电池组到工业总线电源等多种输入源。通过外部电阻分压网络可灵活设置输出电压,最低可调至0.6V,满足现代低电压数字核心供电的需求,如MCU、FPGA、DSP、Wi-Fi模块等。固定500kHz的工作频率使得滤波元件选型标准化,有助于降低EMI干扰并提高系统兼容性。
  在轻载条件下,SCT2280KEC自动进入省电模式(PFM模式),动态调节开关行为以维持高效率,显著降低静态功耗,延长电池供电设备的续航时间。当负载增加时则无缝切换回PWM模式,保证输出稳定性和响应速度。此智能模式切换机制兼顾了效率与性能,适用于始终在线或间歇工作的应用场景。
  芯片内置多重保护功能,包括逐周期限流保护,防止因过载或短路导致的电流冲击;过温保护在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出,并在温度下降后重启;输入欠压锁定(UVLO)确保只有在输入电压达到正常工作范围后才启动,避免启动失败或不稳定现象。这些保护措施共同构建了一个高度可靠的电源管理系统。

应用

SCT2280KEC广泛用于各类需要高效、小型化电源解决方案的场合。常见应用包括智能家居控制面板、工业传感器与PLC模块、网络通信设备(如路由器、交换机)、便携式测试仪器、安防监控摄像头以及车载电子附件等。由于其支持12V输入系统,特别适合替代传统线性稳压器(如78xx系列)进行降压供电,在效率和温升方面有显著优势。此外,它也可用于为FPGA、ASIC、微处理器和存储器等数字电路提供核心电压(如1.8V、3.3V、5V)供电,满足多轨电源系统的中间级转换需求。在电池供电设备中,其高效率和低静态电流特性有助于提升能源利用率,延长使用时间。该芯片还适用于LED驱动电源、USB供电设备及IoT终端节点等新兴领域,是现代嵌入式系统中理想的非隔离直流电源选择。

替代型号

AP62800, MP2280, XL1509-ADJ

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SCT2280KEC参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)364 毫欧 @ 4A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1.4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)667 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)108W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3