时间：2025/12/25 13:09:42
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SCT2280KE是一款由上海矽力杰半导体技术有限公司（Silan Integrated Circuit Technology Co., Ltd.）推出的高性能同步降压型DC-DC转换器芯片，广泛应用于需要高效、稳定电源管理的电子设备中。该器件采用电流模式控制架构，能够在宽输入电压范围内实现高效的能量转换，并提供稳定的输出电压。SCT2280KE集成了高边和低边MOSFET，具备较高的功率密度和转换效率，适用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及嵌入式系统等多种应用场景。
SCT2280KE支持高达3A的持续输出电流，输入电压范围为4.5V至18V，可调节输出电压最低可达0.6V，使其能够为各种低压数字核心供电，如DSP、FPGA、ASIC和微处理器等。其内部补偿设计简化了外部电路布局，减少了外围元件数量，有助于缩小整体解决方案尺寸并降低成本。此外，该芯片还具备多种保护功能，包括过流保护、过温保护和输出短路保护，提升了系统的可靠性与安全性。SCT2280KE采用ESOP-8封装形式，具有良好的散热性能，适合在紧凑型PCB设计中使用。
工作输入电压范围：4.5V ~ 18V
输出电压范围：0.6V ~ 输入电压
最大输出电流：3A
开关频率：典型值500kHz
静态电流：约60μA（待机状态）
关断电流：小于1μA
反馈参考电压：0.6V ±1%
占空比范围：0% ~ 100%
工作效率：最高可达95%以上
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
封装类型：ESOP-8
SCT2280KE采用峰值电流模式控制架构，确保了快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性。这种控制方式通过实时监测电感电流来调整PWM占空比，从而有效应对负载突变带来的电压波动，保持输出电压的稳定。该芯片内置上管和下管的MOSFET驱动器，并集成了高压侧N沟道MOSFET和同步整流用的低边MOSFET，显著提高了转换效率，尤其是在中高负载条件下表现优异。由于无需外置肖特基二极管进行续流，不仅降低了导通损耗，也避免了反向恢复带来的EMI问题，进一步优化了电磁兼容性表现。
为了适应不同应用需求，SCT2280KE支持外部电阻分压网络设定输出电压，用户可通过简单的电阻配置实现精确的电压调节。同时，芯片内部集成软启动功能，在启动过程中逐步增加输出电压，防止浪涌电流对系统造成冲击，延长元器件寿命。此外，它具备完善的保护机制：当发生输出过流或短路故障时，芯片会自动进入打嗝模式（hiccup mode），周期性地尝试重启，既限制了故障期间的能量释放，又能在故障排除后自动恢复正常运行，增强了系统的鲁棒性。
该器件还支持使能（EN）引脚控制，允许外部逻辑信号开启或关闭电源输出，便于实现系统的低功耗待机模式或顺序上电控制。在轻载条件下，SCT2280KE可自动切换至脉冲跳跃模式（pulse-skipping mode），降低开关频率以减少开关损耗，从而提升轻载效率，延长电池供电设备的工作时间。整个芯片设计注重小型化与高集成度，配合少量外部元件即可构建完整的电源解决方案，非常适合空间受限的应用场景。
SCT2280KE因其高效率、小体积和高可靠性，被广泛用于多种电源管理场合。在消费类电子产品中，常用于机顶盒、智能电视、路由器、家庭网关和USB电源适配器等设备的主电源或辅助电源模块；在工业自动化领域，可用于PLC控制器、传感器供电单元、工业HMI面板以及远程IO模块的直流电源转换；在通信基础设施中，适用于光模块、基站板卡和网络交换设备中的点负载供电（point-of-load）应用。
此外，SCT2280KE也非常适合为现场可编程门阵列（FPGA）、数字信号处理器（DSP）和微控制器单元（MCU）提供核心电压和I/O电压，特别是在需要多路供电轨且对效率要求较高的嵌入式系统中表现出色。其宽输入电压范围使其能够兼容12V系统总线供电环境，例如在安防监控摄像头、智能家居中控主机和车载信息娱乐系统中作为二次电源使用。得益于良好的热性能和ESOP-8封装的小尺寸，该芯片可在高密度PCB布局中实现紧凑设计，满足现代电子产品对小型化和节能化的双重需求。
TPS54331
