SCT2230TVBR 时间：2025/5/8 15:01:26 阅读：6

SCT2230TVBR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压功率MOSFET，属于STripFET F7系列产品。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。其封装形式为TO-220AB，能够满足高电流和高电压的工作需求。
　　该器件在设计上注重降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。同时，它还具备出色的热性能和电气性能，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

型号：SCT2230TVBR
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：12 A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4 Ω
　　栅极电荷（Qg）：68 nC
　　总功耗（Ptot）：195 W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

SCT2230TVBR 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定漏源电压（650V），适合高压应用环境。
　　3. 良好的开关性能，栅极电荷较小，有助于减少开关损耗。
　　4. 出色的热稳定性，能够承受较高的工作温度（最高达175℃）。
　　5. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
　　6. 内置防静电保护功能，增强器件的抗干扰能力。

应用

SCT2230TVBR 广泛应用于多种高压场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和适配器。
　　2. DC-DC转换器。
　　3. 工业设备中的电机驱动控制。
　　4. 电动工具和其他便携式设备的电源管理。
　　5. 照明系统中的电子镇流器和LED驱动电路。
　　6. 家用电器中的电源模块。
　　这款器件因其优异的性能表现，成为许多高压功率转换应用的理想选择。