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SCT2080KEC 发布时间 时间:2025/12/25 10:43:54 查看 阅读:41

SCT2080KEC是一款由芯洲科技(SCT)推出的高效、同步降压型DC-DC转换器芯片,专为高输入电压应用设计。该器件能够在宽输入电压范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及各类需要高效电源管理的嵌入式系统。SCT2080KEC采用电流模式控制架构,具备快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,能够有效应对负载变化带来的电压波动。芯片集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,减少了外围元件数量,简化了电路设计,并提高了整体可靠性。其封装形式为DFN3x3-10L或类似小型化封装,适合空间受限的应用场景。
  SCT2080KEC支持高达60V的输入电压,输出电压可调范围通常在0.8V至接近输入电压之间,最大持续输出电流可达5A,峰值电流能力更高。为了提升能效,该芯片在轻载条件下自动进入省电模式(PSM),以降低静态功耗,延长电池供电系统的续航时间。同时,它还具备多种保护功能,如过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)和输出短路保护,确保系统在异常工况下的安全运行。此外,SCT2080KEC具有良好的EMI性能优化设计,有助于满足电磁兼容性要求,减少对外部电路的干扰。

参数

类型:同步整流降压DC-DC转换器
  拓扑结构:Buck(降压)
  输入电压范围:4.5V 至 60V
  输出电压范围:0.8V 至 Vin - ΔV
  最大输出电流:5A(连续)
  开关频率:典型值400kHz(可调或固定,依版本而定)
  工作效率:最高可达95%以上(具体取决于输入/输出条件)
  控制方式:峰值电流模式控制
  反馈参考电压:0.8V(±1.5%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温可达150°C)
  封装形式:DFN3x3-10L 或等效小尺寸封装
  静态电流:约20μA(关断模式),150μA(待机模式)
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)、输出短路保护

特性

SCT2080KEC采用先进的BCD工艺制造,结合高压集成技术,实现了高耐压与高效率的完美平衡。其内部集成了两个低导通电阻的MOSFET(上管和下管),有效降低了导通损耗,提升了整体转换效率,尤其在大电流输出时表现优异。电流模式控制架构不仅提供了出色的动态响应能力,还能实现逐周期限流保护,增强了系统的可靠性和安全性。通过外部电阻分压网络可精确设定输出电压,灵活性高,适应多种应用场景需求。
  该芯片具备宽输入电压适应能力,可在4.5V至60V范围内稳定工作,使其非常适合用于车载电子、工业总线供电(如48V系统)、太阳能逆变器辅助电源等领域。即使在输入电压剧烈波动的情况下,也能保持稳定的输出电压,避免系统误动作或损坏。轻载高效模式(PSM)可根据负载情况自动切换工作模式,在低功耗状态下显著降低开关频率和驱动损耗,从而提高轻载效率,特别适用于电池供电或待机功耗敏感的应用。
  保护机制方面,SCT2080KEC内置多重防护措施:当检测到输出短路或过流时,芯片会启动打嗝模式(hiccup mode)进行限流并尝试重启,防止持续过热;过温保护会在芯片结温超过阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作;欠压锁定功能确保在电源未完全建立前不启动,避免误触发。这些特性共同保障了电源系统的长期稳定运行。此外,芯片设计注重EMI抑制,通过优化开关边沿速率和布局建议,帮助工程师轻松通过EMC认证测试。

应用

SCT2080KEC广泛应用于对输入电压范围要求较宽、同时追求高效率和高可靠性的电源系统中。典型应用包括工业自动化设备中的分布式电源模块,例如PLC控制器、传感器供电单元和电机驱动器的辅助电源;在汽车电子领域,可用于车载信息娱乐系统、ADAS模块、ECU供电等场景,支持12V、24V甚至48V车载电气系统;通信基础设施中,如路由器、交换机、光模块的板载电源转换也常采用此类高耐压降压芯片。
  此外,SCT2080KEC适用于各种消费类电子产品,尤其是需要直接接入市电适配器或直流母线供电的设备,如智能家居网关、安防监控摄像头、LED照明驱动电源等。由于其具备高达60V的输入耐受能力,可以直接连接整流后的离线电源(如90VAC~265VAC经桥式整流滤波后约100V~370VDC),配合前级PFC或隔离模块使用,作为非隔离二次侧稳压器,实现低成本高效的非隔离电源方案。在新能源领域,如光伏逆变器、储能系统的控制电路供电中,SCT2080KEC也能发挥重要作用,提供稳定可靠的低压电源。其小型化封装和极少的外围元件需求,使得PCB布局更加紧凑,有利于产品小型化和成本控制。

替代型号

SCT2280
  SCT2450
  LM5164
  TPS54560
  XL7015

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SCT2080KEC参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)117 毫欧 @ 10A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 4.4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)106 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2080 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)262W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3