类型：碳化硅肖特基二极管
　　电压等级：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：20A
　　峰值重复反向电压（VRRM）：650V
　　直流反向电压（VRDC）：650V
　　正向电压（VF）：典型值1.35V @ 20A, 25°C
　　最大正向电压（VF(max)）：1.7V @ 20A, 25°C
　　漏电流（IR）：最大100μA @ 650V, 25°C；最大10mA @ 650V, 150°C
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220-2L
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W
　　极性：单芯片，阴极引出

SCS220AE2C的核心特性源于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料技术，这种宽禁带材料赋予了器件卓越的电学与热学性能。首先，该二极管具备零反向恢复电荷（Qrr = 0）的特性，这意味着在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流，从而彻底消除了由传统硅二极管带来的开关损耗和电压振铃问题。这一特性对于高频开关电源尤为重要，能够显著降低电磁干扰（EMI），减少对缓冲电路的需求，并提升系统效率。其次，其正向导通压降较低，在20A电流下典型值仅为1.35V，相比同类SiC二极管处于领先水平，这直接降低了导通损耗，尤其是在大电流应用场景中表现优异。
　　该器件具有极低的温度依赖性，其正向电压随温度变化较小，且漏电流在高温下仍保持可控。即使在150°C高温环境下，最大漏电流也仅为10mA，确保了高温工况下的稳定性与安全性。此外，SCS220AE2C可在-55°C至+175°C的宽结温范围内可靠工作，远超传统硅器件的150°C上限，使其适用于极端环境下的工业与车载应用。其热阻约为1.2°C/W（结到壳），配合良好的散热设计可实现持续高功率运行。
　　TO-220-2L封装不仅提供了优良的机械强度和电气绝缘性能，还便于安装散热片，提升热管理效率。该封装形式广泛应用于功率模块中，兼容主流自动化贴装设备，适合大规模生产。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保长期使用的稳定性。SCS220AE2C还具备优异的抗浪涌能力，能承受短时过流冲击，增强了系统鲁棒性。总之，这些特性使SCS220AE2C成为追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子系统的理想选择。

SCS220AE2C凭借其高耐压、低损耗和高温工作能力，广泛应用于多种高效电力电子系统中。在工业电源领域，常用于PFC（功率因数校正）升压二极管，替代传统硅快恢复二极管，显著提升电源效率并支持更高开关频率设计。在太阳能光伏逆变器中，该器件被用作续流二极管或钳位二极管，帮助实现MPPT（最大功率点跟踪）控制下的高效能量转换，同时降低系统温升和EMI噪声。
　　在电动汽车相关系统中，SCS220AE2C可用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中的整流与续流功能，支持双向功率流动和紧凑化设计。其高温耐受能力特别适合汽车引擎舱或电池管理系统中的恶劣热环境。在数据中心和服务器电源中，该二极管应用于高密度AC-DC和DC-DC模块，有助于实现80 PLUS钛金等级以上的能效标准。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、通信电源、医疗电源以及工业电机驱动中的辅助电源和缓冲电路。在高频率LLC谐振转换器、图腾柱PFC拓扑等先进电路结构中，SCS220AE2C的零反向恢复特性可极大简化驱动设计，避免交叉导通风险，提升整体系统效率。由于其封装成熟、易于替换，许多原有使用硅二极管的设计只需小幅修改即可升级为SiC方案，获得明显的性能提升。因此，SCS220AE2C是实现绿色节能、小型化和高可靠性电源系统的关键元件之一。

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　　 "SCS220AG2C",
　　 "SCS220AH2C",
　　 "C4D20065A",
　　 "C4D20065D",
　　 "FFSH2065A",
　　 "GSID20065T07"
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