类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：120A（在25°C）
　　Rds(on)（最大值）：20mΩ
　　栅极电荷（Qg）：220nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247
　　短路耐受能力：有

SCN2C60采用了先进的碳化硅材料技术，具备卓越的开关性能和导通损耗特性。相较于传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET在高频开关应用中具有更低的开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，SCN2C60具有较高的热导率和耐高温能力，使其在高功率密度应用中具有更好的热管理表现。该器件还具备优异的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的稳定性与可靠性。
　　SCN2C60的低Rds(on)特性显著降低了导通损耗，使其在高电流应用中表现优异。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）进一步提升了开关速度，减少了开关过程中的能量损耗。此外，TO-247封装形式提供了良好的电气连接和散热性能，便于在工业环境中使用。
　　值得一提的是，SCN2C60具备零反向恢复电荷（Zero Reverse Recovery Charge）特性，使得其在同步整流和桥式电路中能够有效减少交叉传导损耗，提升整体系统效率。这种特性对于高频变换器和图腾柱PFC（Totem-Pole PFC）拓扑结构尤为重要。

SCN2C60适用于多种高功率和高频率的电力电子系统，如电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、太阳能逆变器、储能系统（ESS）、服务器电源、工业电机驱动和UPS不间断电源等。在这些应用中，SCN2C60能够显著提升系统的能效和功率密度，减少散热需求，进而降低系统成本和体积。例如，在电动汽车充电系统中，SCN2C60可以用于DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路，实现更高的效率和更快的充电速度。在太阳能逆变器中，该器件可用于提高逆变器的转换效率，从而提升整个系统的能源利用率。此外，在高频开关电源中，SCN2C60的快速开关特性和低损耗特性使其成为实现高效能设计的理想选择。

STL240N65M5, SCT3040KR, SiC MOSFET 650V 120A