类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：100mA
　　最大漏-源电压：20V
　　最大栅-源电压：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.5V
　　功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23、SOT-323

SCK101201N MOSFET具有多项优良特性，适用于各种低功耗电子应用。
　　首先，其N沟道结构提供了良好的导电性能，在低电压下也能实现高效的开关控制。该器件的最大漏极电流为100mA，漏-源电压最大可达20V，使其能够在多种低压电源管理电路中稳定工作。
　　其次，SCK101201N 的导通电阻（Rds(on)）最大为5Ω，这在同类小功率MOSFET中属于较低水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。
　　此外，其阈值电压范围为0.6V至1.5V，意味着该器件可以在较低的栅极驱动电压下开启，适用于3.3V或5V逻辑电平控制的电路系统，提高了与数字IC的兼容性。
　　该MOSFET的封装形式为SOT-23或SOT-323，体积小巧，便于在空间受限的电路板上安装，同时具备良好的散热性能，适合高密度组装。
　　在可靠性方面，SCK101201N 具有-55°C至150°C的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。其功耗为200mW，适用于电池供电设备，有助于延长设备续航时间。
　　综合来看，SCK101201N 是一款性能稳定、易于使用的小功率MOSFET，适用于多种电子电路中的开关和信号控制应用。

SCK101201N 主要应用于以下领域：
　　1. **便携式电子产品**：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理、信号切换和逻辑控制。
　　2. **数字电路和逻辑控制**：作为低电压开关元件，与微控制器或数字IC配合使用，实现对LED、传感器等外设的控制。
　　3. **电源管理系统**：用于低功耗电源切换、电池充放电管理电路中，提高系统能效。
　　4. **工业控制设备**：在PLC、仪表和小型自动化系统中作为信号放大器或开关元件。
　　5. **通信模块**：用于无线通信模块中的射频开关或电源控制电路，确保低功耗运行。
　　6. **消费类电子产品**：如遥控器、玩具、家用电器等，用于控制小型电机、继电器或LED指示灯。
　　7. **测试与测量设备**：在便携式测试仪器中作为信号通断控制开关，提高设备的响应速度和稳定性。

2N7002, BSS138, FDN302P, FDV301N, 2N3904