制造商：Wolfspeed (Cree)
　　类型：GaN HEMT 射频晶体管
　　技术平台：GaN-on-SiC
　　工作频率范围：2 - 18 GHz
　　输出功率（Pout）：典型值300 W（峰值脉冲）
　　增益：12 - 14 dB（典型值）
　　功率附加效率（PAE）：>50%（典型值）
　　漏极电压（Vds）：最大28 V
　　栅极电压（Vgs）：可调，典型关断电压-3 V
　　封装形式：陶瓷金属封装（Flanged Package）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配
　　热阻（Rth）：<0.45 °C/W
　　驻波比（VSWR）：耐受性高达2:1 不损坏

SCHF-300的核心优势在于其基于氮化镓在碳化硅衬底上的异质结构设计，这种材料组合赋予了器件极高的击穿电场强度、出色的热传导能力和显著优于传统砷化镓（GaAs）或LDMOS器件的高频性能。其高电子迁移率二维电子气（2DEG）通道能够在低导通电阻下实现高速开关操作，从而在高频条件下提供强大的输出功率和高效的能量转换能力。此外，由于碳化硅衬底具有优良的热管理特性，SCHF-300在高功率连续波（CW）或脉冲工作模式下仍能维持较低的工作温度，减少因过热导致的性能退化或器件失效风险。
　　该器件具备宽频带响应能力，在2至18GHz范围内可实现平坦的增益响应和稳定的输入/输出匹配，减少了外部匹配网络的复杂度，简化了射频电路设计流程。其高功率附加效率（PAE）不仅降低了系统对电源的需求，也减少了散热系统的体积和重量，对于便携式或机载系统尤为重要。SCHF-300还表现出良好的线性度和互调失真性能，适合用于多载波通信系统和高保真信号放大场景。
　　为了确保长期可靠运行，SCHF-300经过严格的老化测试和环境应力筛选，并支持在高温、高湿及振动环境中稳定工作。其陶瓷金属封装提供了优异的气密性保护，防止湿气和污染物侵入，进一步提升器件寿命。此外，该封装形式具备良好的接地和散热路径，便于集成到微波模块或印刷电路板上。Wolfspeed还为该器件提供详细的应用笔记和技术支持，帮助工程师优化偏置电路、稳定性设计和热管理方案。

SCHF-300广泛应用于需要高功率、高频率和高效率的射频系统中。其主要使用场景包括军用雷达发射机，如相控阵雷达和地面监视雷达，其中要求器件能在脉冲模式下提供高峰值功率并具备良好的瞬态响应能力。在电子战（EW）系统中，SCHF-300可用于宽带干扰器和信号侦察设备，利用其宽频带特性覆盖多个威胁频段。
　　在民用通信领域，该器件适用于点对点微波回传链路、卫星通信地球站以及测试测量设备中的驱动放大器或功率放大级。在航空电子系统中，SCHF-300可用于机载通信电台和导航系统，满足紧凑空间内高效能运作的需求。此外，科研机构也将其用于粒子加速器、等离子体实验装置和其他需要高功率射频激励源的实验平台。
　　由于其高可靠性和恶劣环境适应能力，SCHF-300也常见于航天器有效载荷和深空探测任务中的射频子系统。其宽带放大能力使得单一型号可以替代多个窄带器件，降低系统复杂性和维护成本。随着5G毫米波技术和未来6G研究的发展，SCHF-300这类高频GaN器件将在基站原型开发和外场测试中发挥重要作用。