SCH3106-NU 时间：2025/12/24 17:10:07 阅读：25

SCH3106-NU是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的双N沟道功率MOSFET，专为高性能电源管理应用而设计。该器件采用了先进的PowerFLAT? 5x6封装技术，具有优异的热性能和电气性能，适用于需要高效率和紧凑设计的系统。SCH3106-NU集成了两个独立的N沟道MOSFET，适用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器等多种应用场景。其设计旨在提供高效的开关性能，同时降低导通电阻和开关损耗。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerFLAT? 5x6
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：8A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　功耗（PD）：2.5W

特性

SCH3106-NU具备多项先进的电气和热性能，使其在多种电源管理应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。双N沟道MOSFET结构允许在同步整流拓扑中使用，例如在Buck转换器中作为高边和低边开关，从而减少外部组件需求并提高整体性能。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于降低开关损耗并提高开关速度，适合高频操作。
　　采用PowerFLAT? 5x6封装的SCH3106-NU提供了优异的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导至PCB，从而降低结温并提高可靠性。该封装具有较小的尺寸，适合空间受限的设计。SCH3106-NU的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种应用场景。
　　该器件的漏极电流额定值为8A，每个通道均可独立使用，灵活性较高。此外，SCH3106-NU具备良好的短路和过载保护能力，有助于提高系统的稳定性和可靠性。由于其低阈值电压设计，SCH3106-NU可与多种控制器或驱动器配合使用，兼容性较强。

应用

SCH3106-NU广泛应用于需要高效能和高集成度的电源管理系统中。其典型应用包括DC-DC降压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、工业自动化设备、消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机充电器）以及汽车电子设备（如车载充电器、LED照明驱动器）等。由于其双MOSFET结构和低导通电阻的特点，SCH3106-NU在同步整流拓扑中特别受欢迎，能够有效提高转换效率并减少热量产生。