型号：SCH2409-TL-E
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.1A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：20mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：10nC @ VGS=10V
　　二极管正向电流(IS)：0.8A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

SCH2409-TL-E采用高性能沟槽技术制造，具有非常低的导通电阻，这使得它在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为15mΩ，在VGS=4.5V时也仅为20mΩ，这一特性使其非常适合用于低电压、高效率的同步整流和开关电源设计中。此外，该器件具备较高的电流承载能力，在70℃环境下可支持5.1A的连续漏极电流，并能承受高达20A的脉冲电流，满足瞬态负载变化的需求。
　　该MOSFET的开关特性优异，输入电容仅为450pF，输出电容180pF，反向传输电容50pF，这些参数有助于减少开关过程中的能量损失，提升高频工作的稳定性。同时，栅极电荷Qg仅为10nC（@VGS=10V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动损耗并简化驱动电路设计。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长电池使用寿命。
　　SCH2409-TL-E的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表现出良好的热稳定性和环境适应能力，可在高温或低温恶劣环境中稳定运行。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具备良好的散热性能，通过PCB布局可有效导出热量。此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在实际使用过程中的可靠性。综合来看，SCH2409-TL-E是一款兼具高性能、小尺寸和高可靠性的N沟道MOSFET，适用于对空间和效率有严格要求的现代电子系统。

SCH2409-TL-E广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的负载开关和电源通断控制；在DC-DC转换器中作为同步整流管使用，显著提升转换效率；也可用于电池供电设备中的充放电管理电路，实现高效的能量传递与隔离控制。此外，该器件还适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的驱动模块中，能够提供快速响应和低功耗表现。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也常被用于LED驱动电路、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类工业控制板卡中的功率开关单元。得益于SOT-23的小型化封装，SCH2409-TL-E特别适合高密度PCB布局的设计需求，广泛服务于通信模块、传感器模块、IoT设备及嵌入式控制系统等领域。

SI2309-DS-T1-E
　　AO3400
　　FDN340P