型号：SCH2310-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：17.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：23mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：28mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V：40mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 590pF
　　输出电容（Coss）：典型值 145pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 40pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 20ns
　　峰值电流能力（Ipeak）：支持瞬态大电流
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-723 (TSOP-6)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功耗（Ptot）：最大约1W（受PCB布局影响）

SCH2310-TL-E采用高性能沟槽技术，实现了极低的导通电阻，这使其在低电压、中等电流的应用场景下表现出色。例如，在VGS = 10V时，RDS(on)最大仅为23mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件如VGS = 4.5V时，仍能保持28mΩ的低阻值。这种低RDS(on)特性显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件具备出色的开关特性，输入电容（Ciss）仅为590pF左右，使得栅极驱动所需能量较小，有助于降低驱动IC的负担并提升开关频率。同时，较低的反向传输电容（Crss）减少了米勒效应的影响，提升了高频开关过程中的稳定性，有效防止误触发或振荡现象的发生。这些特性使SCH2310-TL-E非常适合用于高频DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流Buck或Boost电路。
　　SCH2310-TL-E还具有良好的热性能。尽管其封装尺寸非常紧凑（SOT-723），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了有效的散热路径。当安装在适当设计的PCB上时，可通过焊盘将热量传导至地平面，从而实现较高的功率耗散能力。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V~2.0V，这意味着它可以在低至2.5V甚至更低的逻辑电平下部分导通，因此兼容3.3V、2.5V乃至1.8V控制系统，增强了系统的通用性和灵活性。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，避免因驱动信号过冲导致器件损坏。
　　由于采用了先进的半导体制造工艺，SCH2310-TL-E在生产过程中严格控制参数一致性，保证了批次间的稳定性和可靠性。其符合AEC-Q101等车规级可靠性测试标准的可能性也使其可被考虑用于汽车电子中的非主控小功率模块。总体而言，SCH2310-TL-E是一款集低导通电阻、高速开关、小型化封装和高可靠性于一体的高性能N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的电源管理需求。

SCH2310-TL-E广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、智能手表和蓝牙耳机等，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。
　　在电源管理系统中，该器件常用于同步整流型DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器的下管或上管位置，尤其是在多相供电架构中作为次级开关使用。其低RDS(on)和快速响应特性有助于提高转换效率，减少发热，满足高能效设计目标。
　　此外，SCH2310-TL-E也适用于电池保护电路和充电管理模块，可用于过流保护、短路隔离以及充放电路径切换等功能。在电机驱动、LED背光驱动和小型继电器驱动电路中，也可作为开关元件实现精确控制。
　　由于其SOT-723小型封装，特别适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端节点、无线传感器网络模块以及其他微型化电子产品。同时，其稳定的电气性能和宽温工作能力也使其可应用于工业控制、智能家居控制器和通信模块等领域。

SCH2300-TL-E
　　SCT2300AL
　　AON6260
　　FDMC86260S