器件类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　平均整流电流（Io）：6 A
　　最大反向重复电压（VRRM）：28 V
　　峰值正向过载电流（IFSM）：150 A
　　最大正向电压降（VF）：0.57 V @ 6 A, TJ = 125°C
　　最大漏电流（IR）：1 mA @ 28 V, TJ = 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：PowerDI?5C (SMD)
　　引脚数：2
　　热阻结至外壳（RθJC）：1.6 K/W
　　安装方式：表面贴装

SCDS6D28NT1R0的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与出色的开关速度，从而大幅提升了电源系统的整体效率。在6 A的工作电流下，其典型正向电压仅为0.57 V（在结温125°C时），这意味着相较于传统快恢复或超快恢复二极管，其导通损耗显著降低，尤其适合用于高频DC-DC变换器中的输出整流环节。此外，该器件具有非常低的反向恢复电荷（Qrr），几乎不存在反向恢复时间（trr），因此在高频开关环境中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰问题，有助于提升系统稳定性与EMI性能。
　　该二极管采用PowerDI?5C封装，是一种无引线、底部散热增强型表面贴装封装，具备优异的热传导能力。其热阻结到外壳（RθJC）仅为1.6 K/W，能够有效将内部产生的热量传递至PCB焊盘上，支持高功率密度设计而无需额外散热片。这种封装还具有较小的占板面积，有利于实现紧凑型电源模块布局，特别适用于空间受限的应用如笔记本电脑适配器、通信模块和嵌入式电源系统。
　　器件的电气参数经过严格筛选和测试，确保在极端温度条件下仍保持稳定性能。例如，在高温125°C环境下，最大漏电流控制在1 mA以内，避免因漏电增加而导致的静态功耗上升。同时，其最大重复反向电压为28 V，适用于常见的12 V和24 V电源轨系统，兼容多数同步整流拓扑结构。
　　此外，SCDS6D28NT1R0具备良好的抗浪涌能力，可承受高达150 A的峰值正向浪涌电流（非重复），增强了系统在启动或负载突变情况下的鲁棒性。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，虽然主要用于工业和通信领域，但也具备进入车载电子系统的潜力。综合来看，SCDS6D28NT1R0以其高效、可靠、小型化的特点，成为现代高性能电源设计中的关键元件之一。

SCDS6D28NT1R0广泛应用于各类需要高效低压整流的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在同步整流架构尚未普及或成本敏感的设计中，该肖特基二极管能提供优异的效率表现。它也常用于DC-DC升压、降压及升降压转换器中作为续流二极管，利用其快速关断特性和低正向压降来减少能量损耗，提高转换效率。
　　在服务器和数据中心电源系统中，由于对能效和散热管理要求极高，SCDS6D28NT1R0凭借其低VF和优良热性能被广泛采用。其高电流承载能力和稳定的高温工作特性使其适用于多相供电单元中的辅助整流路径。此外，在电信基础设施设备如基站电源、光模块供电单元中，该器件可用于防止反向电流流动或作为OR-ing二极管使用，保障系统冗余供电的可靠性。
　　工业自动化控制系统、PLC模块、工控电源等设备同样受益于该二极管的高可靠性与宽温度范围工作能力。在这些环境中，设备往往长期运行于恶劣温湿度条件下，因此元器件必须具备足够的耐久性。SCDS6D28NT1R0不仅满足工业级温度要求，还通过了严格的环境认证，确保长期运行稳定性。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、便携式医疗设备、UPS不间断电源以及LED驱动电源中，作为防反接保护或能量回馈路径的关键组件。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于大规模回流焊工艺，进一步提升了制造效率和产品一致性。

MBRS625LTP1G
　　SB628HE3_A/H