制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
　　系列: SCDS5D
　　产品状态: 在售
　　二极管类型: PIN
　　电压 - 峰值反向（最大值）: 28V
　　电流 - 最大平均整流: 100mA
　　电容 - 在指定频率时: 0.3pF @ 1MHz
　　电阻 - 开路（典型值）: 1.2Ω
　　电阻 - 关断（典型值）: 10000Ω
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装/外壳: SOD-523
　　供应商器件封装: SOD-523
　　安装类型: 表面贴装
　　包装: 带卷（TR）
　　高度: 1.1mm
　　引脚数: 2
　　反向恢复时间（trr）: 1ns
　　正向电压（VF）（最大值）: 1.1V @ 10mA
　　测试频率: 1MHz
　　阻抗: 50Ω
　　结温: 150°C
　　最大耗散功率: 200mW

SCDS5D28NT3R3的核心特性之一是其优异的高频性能，这主要得益于其极低的结电容（仅0.3pF @ 1MHz），使得该器件在GHz级别的射频信号处理中表现出色。低电容意味着在高频下对信号路径的影响最小，从而减少了插入损耗并提高了系统的整体效率。这一特性使其广泛应用于天线调谐、射频开关和可变衰减器电路中。此外，该二极管具有非常快的反向恢复时间（trr = 1ns），确保了在高速开关操作中的快速响应能力，避免了因载流子存储效应引起的延迟或失真问题，提升了信号完整性。
　　另一个关键特性是其良好的线性度与低互调失真（IMD），这对于多载波通信系统尤为重要。在同时传输多个射频信号的应用场景中，非线性元件可能产生有害的互调产物，干扰邻近信道。SCDS5D28NT3R3通过优化的PIN结构设计，在高功率输入条件下仍能维持较低的非线性失真水平，保障通信质量。此外，其关断状态下的高阻抗（典型值10kΩ）与导通状态下的低串联电阻（典型值1.2Ω）形成鲜明对比，实现了高效的射频信号路由控制，增强了开关比，提升了系统动态范围。
　　热稳定性和可靠性也是该器件的重要优势。其额定结温高达150°C，能够在高温环境下长期稳定运行，适用于紧凑型高密度PCB布局中散热受限的情况。SOD-523封装不仅体积小巧（仅约1.6mm x 0.8mm），还具备良好的热传导性能，有助于热量及时散发。此外，器件符合AEC-Q101标准，经过严格的温度循环、高温反偏、湿度敏感度等可靠性测试，确保在汽车电子等严酷应用场景中的耐用性。
　　从制造和装配角度看，SCDS5D28NT3R3支持自动拾取与放置设备，适用于大规模SMT生产工艺。其无铅端子镀层兼容现代环保焊接流程，包括回流焊和选择性焊接，降低了生产缺陷率。综合来看，这些特性使SCDS5D28NT3R3成为高性能射频系统中不可或缺的关键组件。

SCDS5D28NT3R3广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适合需要高效信号控制和低损耗传输的场合。其典型应用场景包括移动通信设备中的天线开关模块（ASM），用于在发射与接收模式之间切换射频路径，或在多频段天线系统中实现波段选择。由于其低电容和高开关速度，它能够有效减少信号衰减并提升手机、平板电脑等便携式设备的无线连接性能。
　　在无线局域网（Wi-Fi）和蓝牙模块中，该二极管常被用作前端保护器件，防止静电放电（ESD）或意外过压对敏感的射频集成电路造成损坏。同时，它也可作为可调衰减器的一部分，通过调节偏置电流来改变PIN二极管的阻抗，从而实现对射频信号强度的精确控制，适用于自动增益控制（AGC）电路。
　　此外，SCDS5D28NT3R3也适用于车载信息娱乐系统、GPS导航模块、物联网（IoT）终端以及小型基站等工业和汽车级射频设备。在这些应用中，器件的高可靠性和宽工作温度范围确保了系统在极端环境下的持续稳定运行。其小型化封装也有助于节省宝贵的PCB空间，满足现代电子产品轻薄化的设计趋势。

BCX56-10,115
　　BAS70-04W,215
　　BAR64-02W,215
　　SMS7621-079
　　MAC97901