型号：SCDS5D18NT8R2
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：超快恢复整流二极管
　　封装/包：SMC（DO-277）
　　安装类型：表面贴装
　　重复峰值反向电压 VRRM：100V
　　直流阻断电压 VR：100V
　　平均整流电流 IO：5A
　　正向压降 VF（典型值）：0.97V @ 5A, 150°C
　　最大正向压降 VF（最大值）：1.1V @ 5A, 150°C
　　反向恢复时间 trr（典型值）：35ns
　　峰值浪涌电流 IFSM：150A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流 IR（最大值）：2μA @ 100V, 25°C；500μA @ 100V, 150°C
　　热阻结到外壳 RθJC：2.5°C/W
　　电容 CT：30pF @ 4V, 1MHz

SCDS5D18NT8R2具备卓越的电气与热性能，特别适合高频开关电源中的整流与续流应用。其核心优势之一是超快的反向恢复时间（trr典型值为35ns），这显著减少了开关损耗并抑制了电压尖峰的产生，从而提升了系统的整体效率和电磁兼容性（EMC）。这种软恢复特性意味着在二极管从导通状态切换到截止状态时，电流下降较为平缓，避免了剧烈的dI/dt变化，降低了高频噪声的发射水平，有利于满足严格的EMI标准。
　　该器件在高温条件下的正向压降低至0.97V（典型值，5A下，150°C），相比传统快恢复二极管具有更优的导通损耗表现，有助于减小热耗散需求，提升功率密度。同时，其最大允许结温高达+150°C，支持在高温环境中长期可靠运行，适用于诸如车载电子、工业电源等对温度要求严苛的应用场景。热阻结到外壳（RθJC）仅为2.5°C/W，说明其具有出色的散热能力，配合PCB上的适当铜箔布局可有效传导热量，延长器件寿命。
　　SMC封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的机械强度和焊接可靠性，适应回流焊工艺，适合大规模自动化生产。器件通过AEC-Q101认证（如适用），表明其符合汽车级元器件的可靠性测试标准，增强了在恶劣振动与温度循环条件下的稳定性。此外，该产品不含铅和卤素，符合RoHS与REACH环保指令，支持绿色制造理念。其高浪涌电流承受能力（150A）使其能够耐受短时过载或开机冲击，提高了系统安全性。综合来看，SCDS5D18NT8R2是一款兼具高性能、高可靠性和环保特性的现代功率二极管解决方案。

SCDS5D18NT8R2广泛应用于各类需要高效、高频整流与续流功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为输出整流二极管或箝位二极管使用，利用其低正向压降和快速恢复特性来提升转换效率并降低温升。在PFC（功率因数校正）电路中，该器件可用于升压拓扑的续流路径，帮助实现更高的功率因数和更低的总谐波失真（THD）。
　　在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，SCDS5D18NT8R2可作为反并联二极管与MOSFET或IGBT配合使用，提供感性负载电流的续流通道，并在开关瞬间吸收反向电动势，保护主开关器件免受击穿风险。其软恢复特性在此类应用中尤为重要，能有效减少开关节点的振铃现象和EMI辐射。
　　该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是在隔离式反激变换器中作为次级侧整流元件，保障恒流输出的稳定性与效率。在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器中，该二极管有助于实现小型化和高能效设计。此外，在工业控制系统、电机驱动模块以及电信电源设备中，SCDS5D18NT8R2凭借其宽温工作范围和高可靠性，成为理想的功率二极管选择。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化程度高的SMT生产线，提升制造效率与一致性。

VS-SCDS5D18NT4R2
　　STTH5R10TV1
　　ES5D-E3/61T