类型：双阳极共阴极肖特基二极管
　　配置：双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：28V
　　最大直流反向电压（VR）：28V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1.5A
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　正向电压（VF）：典型值0.31V（在10mA时），最大值0.4V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在25°C下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJA）：约350°C/W
　　最大功耗（PD）：300mW

SCDS4D28NT330的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，使得器件在导通状态下表现出极低的正向压降（VF），从而显著降低功率损耗并提高整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长续航时间并减少发热问题。在10mA的工作电流下，其典型正向压降仅为0.31V，即使在100mA时也保持在0.4V以下，远低于传统PN结二极管的0.7V水平，这使其成为高效能量转换的理想选择。
　　该器件具备优异的开关速度，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr < 1ns）。这种超快的开关能力使其适用于高频整流场合，如开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路以及高速信号处理路径中的钳位与保护。同时，快速响应还能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和可靠性。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装体积小巧，但通过优化芯片布局和内部连接结构，SCDS4D28NT330仍能实现良好的散热表现。其热阻RθJA约为350°C/W，在正常工作条件下可有效控制结温上升，确保长期运行的安全性。此外，器件可在-55°C至+125°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛环境下的应用需求，例如工业控制模块或汽车电子系统。
　　从可靠性和兼容性角度看，该产品符合AEC-Q101车规级认证标准（如适用），具备高抗湿性、耐焊接热冲击能力，并支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产线使用。其无铅（Pb-free）和无卤素设计不仅满足RoHS指令要求，也降低了对环境的影响，符合绿色制造趋势。总体而言，SCDS4D28NT330是一款集高效率、小尺寸、高可靠性于一体的高性能肖特基二极管阵列，适用于多种现代电子系统的电源管理与信号保护任务。

SCDS4D28NT330因其低正向压降、快速开关特性和紧凑型SOT-23封装，被广泛应用于各类需要高效能电源管理和信号保护的电子设备中。常见应用领域包括便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电池充放电回路中的反向极性保护和负载切换控制。在这些设备中，该二极管可防止因电池误插或外部电源反接导致的电路损坏，同时降低待机功耗，提升能源利用效率。
　　在DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中，SCDS4D28NT330常作为续流二极管或箝位二极管使用，尤其适用于升压（Boost）、降压（Buck）及反激式拓扑结构。其快速反向恢复能力和低导通损耗有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率，并降低电磁干扰（EMI）水平。此外，在同步整流架构中，它也可作为辅助二极管配合MOSFET工作，提供初始导通路径或防止体二极管导通带来的高损耗。
　　该器件还适用于电源多路复用（Power MUX）电路，例如在主电源与备用电池之间进行自动切换的应用场景。双阳极共阴极结构允许两个独立输入源共享一个公共输出端，结合控制逻辑可实现无缝电源切换，保障系统持续供电。此类设计常见于物联网节点、无线传感器网络和嵌入式控制系统中。
　　其他典型应用还包括I/O端口保护、信号整形、电压电平移位以及ESD敏感电路的瞬态抑制。由于其低漏电流（最大10μA）和良好温度稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能，适合部署在工业自动化设备、汽车电子模块（如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元）以及通信基础设施中。总之，SCDS4D28NT330凭借其综合性能优势，已成为现代高密度、高能效电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

BAS40-04, PMEG2005EH, SS12