类型：SiC 肖特基二极管
　　封装/外壳：D-Pak (TO-252AA)
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：4A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大反向漏电流（IR）：250μA（典型值，125°C）
　　正向电压降（VF）：1.7V（典型值，IF = 4A）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15ns（实际接近零恢复特性）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

SCDS4D28NT1R0所采用的碳化硅（SiC）材料赋予了其卓越的物理与电气特性。首先，SiC具有比硅高三倍的禁带宽度，使得该器件能在更高的温度下稳定工作，同时大幅降低本征载流子浓度，从而有效抑制高温下的漏电流增长。这使其可在高达175°C的结温下持续运行，非常适合用于高温环境或散热受限的应用场景。
　　其次，该二极管展现出近乎理想的开关行为——无少子存储效应，因此不存在传统PN结二极管的反向恢复电荷（Qrr）。这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，尤其在高频DC-DC转换器或PFC电路中可显著提升系统效率。同时，由于没有反向恢复引起的电流尖峰，系统的电磁干扰（EMI）水平也明显降低，有助于简化滤波电路设计并提高整体EMC性能。
　　再者，SiC材料拥有更高的临界击穿电场强度，允许器件在相同电压等级下实现更薄的漂移层，从而降低导通电阻和正向压降。尽管作为肖特基二极管其VF仍略高于某些超快恢复硅管，但在综合效率方面优势明显。此外，其高热导率有助于快速将热量传导至PCB或散热器，进一步增强热管理能力。
　　该器件还具备出色的抗浪涌能力，能够承受高达30A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其D-Pak封装结构不仅支持良好的机械稳定性，而且兼容标准回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。总体而言，SCDS4D28NT1R0凭借其高性能、高可靠性和易集成性，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件。

SCDS4D28NT1R0广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。常见用途包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在PFC（功率因数校正）升压二极管位置，利用其低反向恢复电荷特性来减少开关损耗并提高能效。在太阳能光伏逆变器中，该器件用于直流侧续流或隔离拓扑中的输出整流，其高温稳定性和高电压耐受能力保障了户外长期运行的可靠性。
　　此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，SCDS4D28NT1R0因其高功率密度和优异的热表现而被广泛采用。其无反向恢复特性有助于实现更高频率的工作，进而减小磁性元件体积，推动系统小型化。在UPS（不间断电源）和服务器电源等通信电源设备中，该二极管同样发挥着关键作用，提供高效的能量传递路径。
　　电机驱动器特别是变频器中的续流二极管也是其典型应用场景之一。在此类应用中，IGBT或SiC MOSFET的快速关断会引发较大的反向电压应力，而SCDS4D28NT1R0的高VRRM和快速响应能力可有效保护主开关器件。同时，其宽泛的工作温度范围也适应工业现场复杂多变的环境条件。
　　除此之外，该器件还可用于高频感应加热、医疗电源、铁路牵引辅助电源等高端工业领域。随着对能源效率要求的不断提升，SCDS4D28NT1R0正逐步替代传统硅快恢复二极管，成为新一代绿色电源系统的优选方案。

SCDS4D28A