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SCDS4D22NT3R9 发布时间 时间:2025/12/26 1:13:31 查看 阅读:9

SCDS4D22NT3R9是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒整流器,采用紧凑的PowerSSO-8封装。该器件专为高效率、低电压直流-直流转换应用而设计,尤其适用于便携式电子设备和电源管理模块中对空间和热性能要求较高的场合。其核心功能是通过低正向电压降实现高效的整流操作,从而减少功率损耗并提高系统整体能效。该器件具有优异的开关特性,适合高频工作环境,如同步降压转换器、电池充电电路以及DC-DC变换器中的续流或箝位二极管应用。SCDS4D22NT3R9的命名遵循安森美标准编码体系,其中“SC”代表肖特基二极管,“D”表示特定系列,“S”为表面贴装,“4”可能指额定电流等级,“22”对应特定电压/电流参数组合,“NT3R9”则标识卷带包装规格及生产批次信息。该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-Free)特性,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其封装结构优化了散热路径,使器件能够在较高负载下稳定运行,同时支持自动化贴片工艺,适用于大规模生产制造流程。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  配置:单路
  反向重复电压(VRRM):30V
  最大平均整流电流(IO):4A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):50A
  最大正向电压降(VF @ IF):0.52V @ 4A
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 25°C
  工作结温范围:-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):45°C/W
  封装类型:PowerSSO-8
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:8
  通道数:1
  反向恢复时间(trr):典型值<30ns
  

特性

SCDS4D22NT3R9的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降与快速开关响应的结合。在典型工作条件下,当通过4A电流时,其正向压降仅为0.52V,显著低于传统PN结二极管,这直接降低了导通损耗,提升了电源系统的转换效率。这对于电池供电设备尤为重要,能够延长续航时间并减少发热问题。该器件的反向恢复时间极短,通常小于30纳秒,使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构中,例如同步整流BUCK电路,在此类应用中可以有效抑制反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性与可靠性。
  PowerSSO-8封装不仅体积小巧,节省PCB布局空间,还具备优良的热传导性能。封装底部设有大面积裸露焊盘,可通过PCB上的散热焊盘将热量迅速传导至电路板内部地层或散热区域,从而有效降低器件的工作温度,避免因过热导致的性能下降或失效风险。这种设计特别适合高密度集成的电源模块应用。此外,该封装支持回流焊工艺,兼容主流SMT生产线,提高了组装效率和良品率。
  该器件具有良好的反向击穿特性和稳定的漏电流表现,在室温下最大反向漏电流仅为0.5mA,确保在待机或轻载状态下功耗极低。其宽泛的工作结温范围(-65°C至+150°C)使其可在极端环境温度下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。虽然肖特基二极管普遍对高温下的漏电流较敏感,但该型号通过材料优化和结构设计,在高温稳定性方面表现出色,兼顾了高性能与长期可靠性。

应用

SCDS4D22NT3R9广泛应用于需要高效能、小尺寸和高频率响应的电源管理系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器,作为同步整流电路中的续流二极管使用,以提高电源效率并降低发热量。在电池充电管理电路中,它可用于防止电流倒灌,保护充电芯片和电池安全。该器件也常见于服务器主板、网络通信设备和FPGA电源模块中,配合MOSFET构成高效的降压型电源架构。由于其快速响应能力,还可用于电压箝位、反接保护和瞬态电压抑制等电路设计中。
  在工业自动化领域,该器件适用于PLC控制器、传感器供电单元和电机驱动电路中的辅助电源部分。其高可靠性与耐温特性也使其可用于部分车载电子系统,如车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块和ADAS子系统的低压供电路径中,尽管在更高安全等级要求的应用中需结合具体认证情况进行选型。此外,该器件也可用于LED驱动电源、USB PD快充适配器和无线充电发射端电路中,发挥其低损耗、高效率的优势。得益于其标准化封装和良好可制造性,SCDS4D22NT3R9成为许多中等功率级别电源设计中的优选方案之一。

替代型号

[
   "SDM4030E-3R9",
   "SMS44",
   "MBRS4H20",
   "FDMS7680",
   "B220C"
  ]

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