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SCDS4D22NT2R2 发布时间 时间:2025/12/26 1:27:04 查看 阅读:17

SCDS4D22NT2R2是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅碳化物(SiC)肖特基二极管,采用TO-252-3(DPAK)封装。该器件基于第四代碳化硅技术,专为高效率、高频率和高温环境下的功率转换应用而设计。与传统的硅基二极管相比,SCDS4D22NT2R2具有更低的正向压降、更高的反向击穿电压以及优异的热稳定性和开关性能。其主要优势包括零反向恢复电荷、无反向恢复电流以及温度依赖性极小的正向电压特性,使其在电源系统中可显著降低开关损耗并提高整体能效。该二极管广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源和PFC(功率因数校正)电路等高要求领域。SCDS4D22NT2R2符合RoHS标准,并具备良好的抗浪涌能力和可靠性,适用于严苛的工作条件。

参数

产品类型:肖特基二极管
  技术平台:第四代碳化硅(SiC)
  封装形式:TO-252-3(DPAK)
  是否无引脚:是
  配置:单二极管
  反向重复电压 VRRM:220 V
  平均整流电流 IO:4 A
  峰值非重复正向浪涌电流 IFSM:60 A
  最大正向电压 VF:1.7 V(在IF = 4 A, TJ = 25°C条件下)
  最大反向电流 IR:200 μA(在VR = 220 V, TJ = 25°C条件下)
  工作结温范围:-55 °C 至 +175 °C
  存储温度范围:-55 °C 至 +175 °C
  热阻 RθJC:3.5 °C/W
  安装类型:表面贴装
  极性:中心阴极

特性

SCDS4D22NT2R2所采用的第四代碳化硅肖特基二极管技术带来了多项关键性能提升。首先,它实现了极低的正向导通压降,在典型工作电流下仅为1.7V左右,这直接降低了导通损耗,提升了系统效率。更重要的是,由于其基于宽禁带半导体材料碳化硅,该器件具备出色的高温工作能力,最高结温可达+175°C,远高于传统硅器件的150°C上限,因此可以在高功率密度或散热受限的应用中稳定运行。
  其次,该二极管具有理想的开关特性——无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)和几乎不存在反向恢复电流(Irr)。这一特性意味着在高频开关过程中不会产生额外的开关损耗和电磁干扰(EMI),从而允许使用更高频率的PWM控制策略,减小滤波元件体积,实现更紧凑的电源设计。此外,其反向漏电流随温度变化较小,在高温环境下仍能保持良好的阻断能力,确保系统的长期稳定性。
  从可靠性角度看,SCDS4D22NT2R2具备高达60A的峰值非重复浪涌电流承受能力,能够有效抵御瞬态过流冲击,如开机浪涌或负载突变情况下的应力。同时,其TO-252-3封装结构提供了良好的热传导路径,配合PCB上的散热焊盘可实现高效的热量传递,进一步增强器件的热管理能力。综合来看,这款二极管不仅提升了电力电子系统的能效表现,还增强了系统的鲁棒性和寿命,特别适合用于对可靠性和效率有严格要求的工业与新能源应用。

应用

SCDS4D22NT2R2因其高效、高频和高温工作的特性,被广泛应用于多种高性能电源系统中。在功率因数校正(PFC)级电路中,它常作为升压二极管使用,尤其是在连续导通模式(CCM)PFC拓扑中,能够显著减少开关损耗并提升整体效率。在服务器电源、通信电源及工业开关电源中,该器件可用于输出整流或辅助电源整流环节,帮助实现小型化与高效率的设计目标。
  此外,在太阳能光伏逆变器中,SCDS4D22NT2R2可用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的整流元件,利用其低VF和零Qrr特性来提高能量转换效率。在电动汽车车载充电机(OBC)和直流充电桩中,该二极管也发挥着重要作用,支持高频软开关拓扑结构,如LLC谐振变换器或图腾柱PFC,以实现更高的功率密度和更低的温升。
  其他应用场景还包括电机驱动器中的续流路径、UPS不间断电源、LED大功率照明电源以及各类高效率AC-DC和DC-DC转换器。得益于其表面贴装封装形式,SCDS4D22NT2R2也适用于自动化生产流程,有利于提高制造效率和产品一致性。

替代型号

SCDS5D220H

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