型号：SCDS4D18NT8R2
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　产品类型：肖特基二极管
　　最大平均正向整流电流：4 A
　　峰值重复反向电压：18 V
　　最大正向压降：570 mV @ 4 A, 25 °C
　　最大反向漏电流：300 μA @ 18 V, 125 °C
　　反向恢复时间：典型值 < 1 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-65 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：PowerPAK 1212-8S
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道
　　是否符合RoHS：是
　　是否无卤素：是
　　是否通过AEC-Q101认证：是

SCDS4D18NT8R2的核心特性之一是其采用先进的沟槽式肖特基势垒技术，这种结构有效降低了传统肖特基二极管中存在的漏电流问题，同时保持了极低的正向导通压降。在4A的工作电流下，其典型正向压降仅为570mV，显著减少了导通损耗，从而提升了电源系统的整体效率。这对于移动设备、笔记本电脑和通信基站中的高效DC-DC变换器尤为重要，有助于延长电池续航并降低散热需求。
　　另一个关键特性是其极快的开关速度。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计（典型值小于1ns）。这一特性使得SCDS4D18NT8R2非常适合用于高频开关电源（如MHz级同步降压转换器），能够大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性与可靠性。
　　该器件采用PowerPAK 1212-8S封装，是一种高性能、低热阻的表面贴装封装形式。相比传统的SOT或DPAK封装，PowerPAK提供了更优的热传导路径，其热阻（RθJA）通常低于40°C/W，能够在高负载条件下有效将热量传递至PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，该封装尺寸紧凑（约3.3mm x 3.3mm），节省宝贵的PCB空间，特别适用于高集成度的便携式电子产品。
　　SCDS4D18NT8R2还具备良好的温度稳定性，在125°C高温环境下仍能维持较低的反向漏电流（最大300μA@18V），确保在恶劣工况下的长期可靠运行。结合其-55°C至+150°C的宽工作结温范围，该器件可在极端环境温度下正常工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求高的应用场景。
　　最后，该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，意味着它经历了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高加速稳态测试（HAST）等，确保在车载复杂电气环境中具备卓越的耐用性和一致性，满足汽车行业对元器件长寿命和高安全性的严格要求。

SCDS4D18NT8R2广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电力电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器主板、GPU供电模块和FPGA电源管理电路中，作为次级侧整流元件使用，以替代传统MOSFET体二极管，实现更低的导通损耗和更高的转换效率。由于其18V耐压等级适配常见的12V系统总线，常被用于点负载（POL）电源架构中，配合控制器实现高效的电压调节。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和超极本等设备的充电管理回路中，该器件可用于防止电池反向放电或实现多电源路径切换。其低正向压降可减少能量浪费，延长待机时间；而快速开关特性则有助于减小滤波元件体积，提升整体能效。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS传感器供电、LED前大灯驱动电路以及电池管理系统（BMS）中的保护与隔离功能。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，即使在发动机舱附近的高温环境下也能稳定运行。
　　此外，SCDS4D18NT8R2还可用于工业自动化设备中的开关电源模块、现场总线接口保护电路以及电信基础设施中的板载电源单元。其高可靠性、小封装和优良热性能使其成为现代高密度电源设计的理想选择。

SDU4D18NT8R2
　　VBAT4D18NT8R2