时间:2025/12/26 0:16:11
阅读:13
SCDS3D18NT4R7是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装Schottky肖特基二极管阵列,采用先进的Trench肖特基技术制造,具有低正向压降和高效率的特点。该器件封装在紧凑的双排引脚PowerPAK 1212-8封装中,适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。SCDS3D18NT4R7集成了多个肖特基二极管,配置为双共阴极结构,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及反向电压保护等应用场合。得益于其优异的热性能和低寄生电感设计,该器件能够在高频开关条件下保持稳定的电气性能,并有效降低系统功耗。此外,该产品符合RoHS环保标准,无卤素,适合现代绿色电子产品的需求。其可靠性经过严格测试,可在工业级温度范围内(-55°C至+150°C)稳定工作,适用于汽车电子、通信设备和便携式消费类电子产品中的关键电源模块。
型号:SCDS3D18NT4R7
制造商:Vishay Siliconix
器件类型:肖特基二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):40 V
最大平均整流电流(IF(AV)):3 A(每通道)
峰值脉冲电流(IFSM):50 A
最大正向压降(VF):550 mV @ 3 A(典型值)
最大反向漏电流(IR):100 μA @ 25°C, 40 V
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:PowerPAK 1212-8 SMD
安装方式:表面贴装
引脚数:8
热阻(RθJA):40 °C/W(典型值)
热阻(RθJC):1.5 °C/W(典型值)
SCDS3D18NT4R7采用Vishay专有的Trench肖特基技术,这种结构通过在硅衬底上刻蚀深沟槽并形成金属-半导体结,显著降低了传统平面肖特基二极管中存在的电场集中问题,从而提升了器件的反向击穿电压能力和高温下的漏电流稳定性。与标准肖特基二极管相比,Trench结构能够实现更高的载流子注入效率和更低的导通电阻,使得该器件在大电流工作状态下仍能维持较低的正向压降(VF),典型值仅为550mV @ 3A,大幅减少了功率损耗,提高了整体系统能效。
该器件的双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接,非常适合用于同步整流拓扑或需要并联输出的DC-DC转换器中。由于其高度集成的设计,SCDS3D18NT4R7可以在有限的空间内替代多个分立二极管,不仅节省了PCB布局面积,还减少了焊接点数量,提高了系统的可靠性和生产良率。PowerPAK 1212-8封装具备优异的散热性能,其低热阻(RθJC = 1.5°C/W)确保了热量可以从芯片快速传导至PCB,避免局部过热导致的性能下降或失效。
此外,该器件具有出色的动态响应能力,在高频开关环境下表现出较小的反向恢复电荷(Qrr),几乎不存在反向恢复时间(trr),因此不会产生明显的开关噪声和电磁干扰(EMI),适用于高频率工作的电源转换系统。其低寄生电感设计进一步增强了高速开关性能,减少了电压尖峰和振铃现象。所有材料均符合RoHS指令要求,并通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在极端温度循环、湿度和机械应力条件下仍能保持长期稳定运行,适用于严苛环境下的汽车电源系统和工业控制设备。
SCDS3D18NT4R7因其高性能和紧凑封装,被广泛应用于多种电源管理系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,它常用于电池供电路径管理、USB Type-C PD电源切换以及多电源输入选择电路中,利用其低正向压降特性减少能量损失,延长续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中,该器件作为输出整流二极管使用,特别是在非同步Buck电路中替代传统的快恢复二极管,可显著提升转换效率并降低温升。
在汽车电子领域,该器件适用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、LED照明驱动电源及车载充电器(OBC)中的辅助电源部分。其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)和通过AEC-Q101认证的可靠性使其能在发动机舱附近等高温环境中稳定运行。此外,在服务器电源、FPGA核心供电、网络交换机和路由器等通信设备中,SCDS3D18NT4R7可用于多相VRM(电压调节模块)的续流二极管,提供高效的能量回馈路径。
工业自动化控制系统、PLC模块、电机驱动器的栅极驱动电源也常采用此类高性能肖特基二极管来实现快速响应和低损耗整流。同时,由于其良好的ESD耐受能力和抗浪涌电流特性,该器件还可用于各类接口保护电路中,防止因瞬态电压引起的损坏。总之,凡是需要高效、小型化且高可靠性的整流或防反接功能的应用场景,SCDS3D18NT4R7都是理想的选择。
[
"SDM3D18NT4R7",
"SK34",
"SS34",
"MBR340",
"RB390D-40"
]