型号：SCDB2D12NT4R7
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　产品类型：双肖特基二极管模块
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压 VRRM：1200 V
　　最大正向平均电流 IF(AV)：4.7 A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：80 A
　　最大正向电压降 VF：1.75 V（在4.7A, TJ=125°C）
　　最大反向漏电流 IR：1.0 mA（在1200V, TJ=125°C）
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：D2PAK (TO-263AB)
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：3
　　极性：双二极管共阴极
　　符合标准：RoHS, AEC-Q101

SCDB2D12NT4R7的核心特性之一是其高达1200V的重复反向电压能力，使其能够在高压直流链路环境中可靠工作，尤其适合用于功率因数校正（PFC）级中的升压二极管。在现代高效开关电源设计中，传统的硅基PN结二极管由于存在较高的反向恢复电荷（Qrr），会导致显著的开关损耗和EMI问题。而SCDB2D12NT4R7采用肖特基势垒技术结合碳化硅（SiC）或特殊硅基平面工艺（根据Vishay官方资料描述为“ultra-thin wafer technology”），实现了极低的反向恢复电荷和近乎零的反向恢复时间，大幅降低了动态损耗，提升了转换效率。这种特性对于高频开关应用尤为重要，可以支持更高的开关频率运行，进而减小磁性元件体积，实现电源小型化。
　　另一个关键特性是其出色的热性能与可靠性。器件采用D2PAK封装，底部带有大面积金属焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至散热层，有效控制结温上升。即使在满载持续工作条件下，也能保持较低的温升，延长使用寿命。同时，该器件可在-55°C至+175°C的宽结温范围内稳定工作，适应极端温度环境，如工业现场或封闭式高密度电源模块内部。此外，器件经过严格的老化测试和湿度敏感度等级评估（MSL-1），具备良好的抗湿防潮能力，适合无铅回流焊工艺。
　　SCDB2D12NT4R7还具备优异的电气稳定性，在高温下反向漏电流控制在1mA以内（@1200V, 125°C），避免了因漏电流增大导致的热失控风险。其正向压降典型值仅为1.75V（在4.7A时），相比同类高压二极管具有更低的导通损耗，进一步提升能效。集成两个独立但共阴极的二极管单元，便于构建并联或多相整流结构，增强电流处理能力。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，满足高端电源系统对关键元器件的严苛要求。

SCDB2D12NT4R7广泛应用于各类需要高压、高效率整流功能的电力电子系统中。其主要应用场景包括：交流-直流（AC-DC）开关模式电源（SMPS），特别是在功率大于300W的中大功率电源中，常用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，取代传统快恢复二极管以降低损耗；工业自动化设备电源模块，如PLC、变频器、伺服驱动器等，这些设备通常要求长时间连续运行且环境温度较高，因此对元器件的可靠性和热稳定性有极高要求；通信基站和数据中心的服务器电源（Server PSU）、冗余电源模块（Redundant PSU），这类应用注重能效等级（如80 PLUS Titanium）和系统散热管理，使用SCDB2D12NT4R7有助于提升整体效率并减少冷却成本。
　　此外，该器件也可用于太阳能光伏逆变器的直流侧升压电路，作为能量传递路径上的整流元件，利用其低反向恢复损耗特性来提高逆变器效率；在电动汽车充电基础设施中，如车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源或PFC级中也有潜在应用价值。由于其通过AEC-Q101车规认证，因此在新能源汽车相关的高压电源管理系统中具备一定的适用性。其他可能的应用还包括医疗电源、UPS不间断电源系统以及高亮度LED驱动电源等对安全性和稳定性要求较高的领域。

STTH4R120C
　　STTH4RN120
　　VS-4R120C-E3/61
　　FDUF4S120