时间：2025/5/20 20:30:47
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SCAN90CP02是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。它采用了先进的制造工艺，能够提供卓越的电气性能和可靠性，适合应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场景。
该器件具有较低的导通电阻和栅极电荷特性，可以显著减少传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，其优化的热性能设计也有助于提高功率密度并简化散热管理。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：68A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅源开启电压：2.8V
总栅极电荷：75nC
输入电容：3000pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
SCAN90CP02具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中能有效降低功耗。
2. 高雪崩能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
5. 采用TO-247封装形式，便于安装与散热设计。
6. 支持高频率操作，适用于多种复杂拓扑结构，如同步整流或DC-DC转换器。
SCAN90CP02广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器及工业电源。
2. 电动工具中的无刷直流电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等能源管理系统。
4. 各类负载切换和保护电路，例如服务器冗余电源管理。
5. 高效功率因数校正（PFC）电路，以满足严格的能源法规要求。
IRFZ44N
STP12NK50Z
FDP5500
