类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：具体数值根据制造商不同可能有所不同，通常在10A至20A之间
　　漏-源极击穿电压（VDS）：通常为60V至100V
　　导通电阻（RDS(on))：通常在5mΩ至20mΩ之间
　　栅极电荷（Qg）：根据型号不同而变化，一般在10nC至30nC之间
　　封装形式：DFN（Dual Flat No-leads）或类似表面贴装封装
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功率耗散（Ptot）：根据封装和散热条件不同，一般在3W至5W之间

SCAJ2 作为一款高性能功率MOSFET，具备多项优势特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)) 确保了在高电流工作时的高效能，减少了功率损耗并降低了发热。其次，SCAJ2 具有快速开关能力，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用，有助于提高系统效率。此外，其封装设计优化了散热性能，使得在高功率密度设计中仍能保持稳定运行。
　　SCAJ2 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。其栅极驱动电压范围较宽，通常支持4.5V至20V的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。此外，该器件的短路耐受能力较强，增强了其在严苛工作条件下的稳定性。

SCAJ2 广泛应用于各类功率电子系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关和电源管理模块等。由于其高效率和紧凑封装，SCAJ2 特别适合用于便携式电子设备、电动工具、无人机和电动汽车的电源系统中。在工业自动化和智能电网设备中，它也被用于高可靠性的功率控制电路。

SiR142DP-T1-GE3, IPB013N04LGATMA1, FDS4410, SICAJ3, SICAJ4