时间：2025/6/18 9:42:44
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SC803IMLTRT是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效率、高性能的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。其额定电压为80V，能够承受较大的电流，确保在高压环境下的稳定工作。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：3A
导通电阻：150mΩ（典型值）
栅极电荷：15nC（典型值）
开关时间：ton=45ns，toff=25ns
结温范围：-55℃至175℃
SC803IMLTRT的主要特性包括低导通电阻以减少功耗，具备出色的热稳定性，可以有效防止过热情况的发生。同时，它具有快速的开关速度，能够在高频条件下提供高效的功率转换。此外，该器件采用了先进的制造工艺，保证了其高可靠性和长寿命。
由于其封装设计紧凑，该芯片非常适合空间受限的应用场景。另外，其耐热性能良好，能在较宽的温度范围内保持稳定的电气特性，因此适合工业级或汽车级应用。
该元器件广泛应用于开关电源适配器、消费类电子设备的电源管理系统、LED驱动器、通信电源以及各类工业控制领域。在这些应用场景中，SC803IMLTRT凭借其高效能和稳定性，成为工程师设计中的理想选择。
IRF840,
FDP5700,
STP36NF06
