SC604AIMLTR 是一款基于硅工艺制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种电源管理场景,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其封装形式为 SOT-23,有助于提高散热性能并节省 PCB 空间。
该器件支持高达 60V 的工作电压,同时具备出色的电流承载能力,能够满足大多数中低压应用的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω
栅极电荷:1.9nC
开关时间:典型值 15ns(tr),27ns(tf)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
SC604AIMLTR 具有以下关键特性:
1. 高耐压能力:额定电压达 60V,适用于多种工业和消费类电子设备。
2. 低导通电阻:仅为 0.85Ω,从而减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷及短开关时间使其非常适合高频应用。
4. 小型化设计:采用 SOT-23 封装,有效降低占板面积。
5. 优异的热稳定性:能够在宽温范围内可靠运行,适应恶劣环境。
6. 内置 ESD 保护:增强抗静电能力,提高产品可靠性。
SC604AIMLTR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用作同步整流或主开关元件。
2. 电池管理系统:用于过流保护和负载切换。
3. 消费类电子产品:如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
4. 工业控制:如电机驱动电路、固态继电器等。
5. 汽车电子:包括 LED 驱动和辅助电源模块。
6. 信号调节与保护:在需要快速响应和高效能量转换的场合。
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