SC38QG018CI01 是一款由 Semtech 公司生产的射频功率放大器(PA)芯片,专为无线通信系统中的高效率功率放大应用而设计。该器件采用了先进的 GaN(氮化镓)技术,能够在高频段(如 Sub-6GHz 和微波频段)下提供高线性度和高输出功率。SC38QG018CI01 非常适合用于 5G 基站、毫米波通信、雷达系统以及其它高性能无线基础设施应用。
工作频率范围:400 MHz 至 3.8 GHz
输出功率:典型值 18 W(连续波)
增益:典型值 18 dB
效率(PAE):典型值 45%
电源电压:28 V
封装类型:工业级陶瓷封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
SC38QG018CI01 的核心特性之一是其基于 GaN 技术的高功率密度能力,这使得该芯片能够在较小的封装尺寸下实现高输出功率。此外,其高效率特性(PAE 高达 45%)有助于减少散热需求,从而提高系统整体能效。
该芯片具有良好的线性度表现,适合用于现代无线通信系统中常见的高阶调制格式(如 QAM 和 OFDM),这对于确保信号质量和降低误码率至关重要。同时,SC38QG018CI01 还具备良好的热稳定性和长期可靠性,适用于高要求的工业和通信设备。
芯片的封装设计采用了工业标准尺寸,便于集成到现有的射频系统中。其 -40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围,也使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
SC38QG018CI01 主要用于无线基础设施领域,如 5G 宏基站和毫米波回传系统。在这些系统中,该芯片可以作为主功率放大器,用于提升发射信号的强度,从而增加通信距离和系统容量。
此外,该芯片也适用于雷达系统、测试测量设备、广播系统和军用通信设备等需要高功率射频输出的场合。由于其高可靠性和良好的热管理性能,SC38QG018CI01 也被广泛用于对系统稳定性要求极高的工业级应用。
SC38QG028CI01, SC38QG015CI01