时间：2025/9/2 21:17:26
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SC241D是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电路中。这款MOSFET设计用于高频率开关操作，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种负载开关应用。SC241D采用SOT-223封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要紧凑布局的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：5.6A
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS=10V
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
SC241D具有较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中可以减少功率损耗和发热。此外，该器件具备快速开关特性，适用于高频应用，如开关电源（SMPS）和电机控制电路。其SOT-223封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，确保了在高功率密度设计中的稳定性和可靠性。SC241D还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够在各种恶劣的工作环境中保持正常运行。
另外，该MOSFET具备较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），这有助于减少开关过程中的延迟和振荡，提高整体电路的效率。同时，其高栅极阈值电压（VGS(th)）保证了在不同工作条件下的稳定性和可靠性，避免了误触发的可能性。
SC241D常用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下应用领域：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器、电机控制电路、LED照明驱动电路以及各种需要高效功率管理的嵌入式系统。由于其高可靠性和紧凑封装，该MOSFET也适用于便携式电子设备和汽车电子系统。
FDMS86101, Si4410BDY
