SC195FULTRT 是一款由 Semtech 公司生产的高性能、低功耗、超小型射频(RF)晶体管,常用于射频功率放大器和其他射频电路设计中。该器件采用先进的硅双极工艺制造,具备良好的线性度和高增益性能,适合在无线通信、工业控制和射频模块设计中使用。SC195FULTRT 采用 SOT-89 封装形式,具有良好的热管理和高频性能,适用于需要高稳定性和可靠性的应用环境。
类型:NPN射频晶体管
封装:SOT-89
最大集电极-发射极电压(Vceo):15V
最大集电极电流(Ic):150mA
最大功率耗散(Pd):300mW
频率范围:DC - 1GHz
增益:> 10dB @ 900MHz
噪声系数:< 3dB @ 900MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
SC195FULTRT 的主要特性之一是其在高频下的高增益表现,特别适用于900MHz左右的射频应用。该晶体管在低电压(15V以下)下工作,具有较低的噪声系数,有助于提升射频接收电路的信号质量。
其SOT-89封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,能够满足高密度PCB布局的需求。此外,SC195FULTRT 的线性度较高,能够在射频功率放大应用中提供更清晰的信号传输,减少失真。
该器件的工作温度范围较宽(-55°C 至 +150°C),适用于各种恶劣环境条件下的电子设备,如工业控制系统、无线传感器网络和便携式通信设备。
由于其低功耗设计,SC195FULTRT 也非常适合用于电池供电的射频模块,有助于延长设备的续航时间。
SC195FULTRT 主要应用于射频功率放大器、无线通信模块、射频前端电路、工业控制设备、低噪声放大器(LNA)以及各种射频识别(RFID)系统。其高频性能和低噪声特性也使其成为无线传感器网络和物联网(IoT)设备中的理想选择。
此外,该晶体管还可用于射频测试设备、射频信号发生器以及需要高稳定性的射频发射电路中。在无线基础设施、移动通信基站和短距离无线通信系统中,SC195FULTRT 也具备广泛的应用潜力。
BC847BLT, 2N3904, BFQ195, BFU520XR