SC1710C-H306-TL 是一款由 Semtech 公司生产的射频(RF)晶体管,属于双极性射频晶体管系列,主要应用于射频功率放大器、低噪声放大器和高频信号处理电路中。这款晶体管采用了先进的硅双极性工艺,能够在高频下提供良好的性能和稳定性。SC1710C-H306-TL 通常采用 SOT-89 封装形式,适用于各种无线通信系统、射频测试设备和工业控制应用。
类型:双极性射频晶体管(NPN)
工作频率范围:最高可达 1 GHz
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大发射极-基极电压(Veb):3 V
最大功耗(Ptot):300 mW
增益(hFE):在 100 MHz 下典型值为 80
噪声系数(NF):在 100 MHz 下典型值为 1.5 dB
封装类型:SOT-89
SC1710C-H306-TL 拥有优异的高频性能,能够在高达 1 GHz 的频率范围内稳定工作,适用于射频放大和信号处理应用。
该晶体管具有较低的噪声系数,通常在 100 MHz 下仅为 1.5 dB,适合用于低噪声放大器的设计,提高接收机的灵敏度。
其增益(hFE)在 100 MHz 下典型值为 80,能够提供良好的信号放大能力,适用于中功率射频放大电路。
该器件采用 SOT-89 小型封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于高密度 PCB 设计和表面贴装工艺。
最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 30 V,能够在较高电压和电流条件下稳定运行,适用于多种射频应用。
此外,该晶体管的功耗较低,典型值为 300 mW,有助于降低系统功耗并提高整体效率。
SC1710C-H306-TL 主要用于射频放大器设计,包括低噪声放大器(LNA)和中功率放大器,广泛应用于无线通信设备如 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee 和其他 2.4 GHz ISM 频段设备。
该晶体管也适用于射频测试仪器和测量设备,用于信号放大和处理,提高测试精度和稳定性。
由于其良好的高频性能和低噪声特性,SC1710C-H306-TL 还可用于无线基站、中继器和远程通信设备中的射频前端模块。
此外,它也适合用于工业控制系统、射频识别(RFID)读写器以及各类射频传感器设备,提供稳定可靠的信号放大功能。
在消费类电子产品中,该晶体管也可用于射频信号处理电路,如遥控器、无线音频设备和智能家电中的无线通信模块。
BFQ191, BFR181W, BFR93A