晶体管类型：NPN
　　封装类型：TO-252（D-Pak）
　　最大集电极电流 (Ic)：2 A
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大发射极-基极电压 (Veb)：5 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗 (Ptot)：30 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　频率范围：800 MHz - 1 GHz
　　增益（hFE）：约 50（在特定测试条件下）
　　输出功率：约 10 W（典型值）
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出匹配

SC1534C-HC04-TL 是一款高性能射频功率晶体管，具有良好的线性度和稳定性，特别适用于高频应用。该晶体管的核心优势在于其能够在较高的频率下提供稳定的输出功率，并且具有较低的失真。其 NPN 结构和硅材料确保了良好的导电性和耐用性。TO-252 封装设计提供了良好的散热性能，使晶体管能够在较高功率下运行而不会出现热失效。该器件的工作频率范围主要集中在 800 MHz 到 1 GHz，适用于多种无线通信标准，如 GSM、CDMA 和 LTE 等。此外，SC1534C-HC04-TL 在设计时考虑了阻抗匹配问题，通常采用 50 Ω 的输入和输出阻抗，便于集成到射频电路中。其增益在典型测试条件下约为 50，确保了良好的信号放大能力。此外，该晶体管的功耗控制较好，在高功率输出时仍能保持较低的热损耗，延长了使用寿命。整体而言，SC1534C-HC04-TL 是一款适用于中等功率射频放大器的理想选择，尤其在需要高稳定性和可靠性的无线通信设备中。

SC1534C-HC04-TL 主要用于射频功率放大器的设计，特别是在 900 MHz 左右的无线通信系统中。它广泛应用于蜂窝基站、无线接入点、中继器、工业射频设备以及测试测量仪器等场景。该晶体管适用于 GSM 900 MHz 频段的功率放大，也可用于其他类似频率的通信协议。在基站系统中，SC1534C-HC04-TL 可用于中继放大器或前端功率放大器模块，以提高信号传输距离和稳定性。此外，在无线基础设施中，该晶体管可用于构建高效率的射频发射系统。由于其良好的线性度和低失真特性，SC1534C-HC04-TL 也适用于需要高质量信号放大的测试设备，如信号发生器和频谱分析仪。工业和消费类射频设备中，该器件可用于构建射频加热、无线传感器网络和远程通信模块等应用。

MRF151G, 2N5109, BFQ67