SC1092DN 时间：2025/8/6 20:20:54 阅读：18

SC1092DN是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的双通道N沟道功率MOSFET器件，由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了优异的导通性能和较低的开关损耗，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。SC1092DN封装为DPAK（TO-252），是一种表面贴装型封装，便于在PCB上安装，并具有良好的热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：DPAK（TO-252）
　　工艺技术：Trench沟槽技术

特性

SC1092DN采用了先进的Trench沟槽MOSFET技术，使其在导通电阻和开关性能方面表现优异。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时最大为50mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其低栅极电荷（Qg）设计使其在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗。
　　此外，SC1092DN具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温度环境下稳定运行。其封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　该器件还具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达10A，在适当的散热条件下可支持更高的负载需求。其工作温度范围宽，从-55℃到175℃，适应了各种工业和汽车电子应用的严苛环境要求。
　　SC1092DN还具备较高的耐用性和可靠性，适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动等。其双通道设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET功能，节省了PCB空间并简化了电路设计。

应用

SC1092DN广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换应用的理想选择。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车载电源管理系统和LED照明驱动电路等。