时间：2025/8/18 12:54:27
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SBX1976-51P 是一款由 Semtech 公司生产的射频（RF）晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，适用于无线通信、雷达系统、测试设备和工业控制系统等领域。SBX1976-51P 具有良好的高频性能和热稳定性，能够在高功率条件下稳定工作。
类型：HEMT 射频晶体管
工作频率：最高可达 6 GHz
输出功率：51 W（典型值）
增益：12 dB（典型值）
漏极电流：500 mA（最大值）
工作电压：28 V
封装类型：TO-247
输入/输出阻抗：50 Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SBX1976-51P 射频晶体管具有出色的高频性能，支持高达 6 GHz 的工作频率，使其适用于多种高频应用场景。该器件采用先进的 HEMT 技术，能够提供高达 51 W 的输出功率，确保在高功率应用中的可靠性。其典型增益为 12 dB，能够有效放大射频信号并减少信号损耗。
此外，SBX1976-51P 的工作电压为 28 V，支持最大 500 mA 的漏极电流，能够在高功率条件下保持稳定运行。其 TO-247 封装形式不仅便于安装和散热，还提供了良好的机械稳定性和热管理能力。
这款晶体管的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，适应各种严苛的环境条件。其 50 Ω 的输入/输出阻抗设计与大多数射频系统兼容，减少了匹配网络的复杂性，提高了系统的整体效率和性能。
SBX1976-51P 的设计注重可靠性和耐用性，适合在长时间高功率运行的环境中使用，确保设备的稳定性和使用寿命。
SBX1976-51P 主要用于无线通信基础设施，如基站放大器和射频发射器。它也广泛应用于雷达系统、航空电子设备、测试和测量仪器以及工业控制系统中。在这些应用中，该晶体管能够提供高效、稳定的射频信号放大，确保信号传输的质量和可靠性。
MRF6S21045N, RFPA21045, NXP BLF6680
