SBW5089ZSR 时间：2025/8/16 2:54:57 阅读：30

SBW5089ZSR 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽工艺，使其在导通电阻、开关损耗和热性能方面表现优异。SBW5089ZSR 封装形式为 HVSOF（高电压小型外露焊盘封装），适合在紧凑型电路设计中使用。

参数

类型：N 沟道功率 MOSFET
　　最大漏源电压 (VDS)：30V
　　最大漏极电流 (ID)：60A
　　导通电阻 (RDS(on))：3.7mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压：1.5V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：HVSOF

特性

SBW5089ZSR MOSFET 采用了先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其低 RDS(on) 特性使得该器件在高电流应用中表现优异，减少了发热，提高了系统稳定性。
　　此外，SBW5089ZSR 具备优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于高功率密度设计。该器件的 HVSOF 封装不仅节省空间，还通过外露焊盘提高了散热性能，确保了在严苛工作条件下的稳定运行。
　　在开关性能方面，SBW5089ZSR 提供了快速的开关响应时间，降低了开关损耗，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器等应用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　综合来看，SBW5089ZSR 是一款高性能的功率 MOSFET，具备低导通电阻、高电流容量、良好的热管理和快速开关特性，适用于各种高要求的电源管理应用。