SBT40100VCT 时间：2025/8/15 5:52:12 阅读：13

SBT40100VCT 是一款高压、高频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能电源转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于诸如电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器及AC-DC电源供应器等高频率开关应用。SBT40100VCT 采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值，取决于具体版本）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

低导通电阻：SBT40100VCT 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其导通电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这在大电流应用中尤为重要，有助于减少发热并提升系统可靠性。
　　优异的高频开关性能：该器件具备快速的开关速度，能够在高频条件下工作，适用于高效率的开关电源和DC-DC转换器。快速的开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　高压耐受能力：SBT40100VCT 的最大漏极电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压电源转换应用，如适配器、充电器和LED驱动器等。
　　高电流承载能力：该MOSFET的最大连续漏极电流为40A，适合高功率密度设计，满足现代电子设备对小型化和高功率输出的需求。
　　良好的热稳定性：采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行，延长使用寿命。
　　高可靠性：该器件在制造过程中采用了严格的质量控制标准，具备优异的长期稳定性和抗环境应力能力，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

电源适配器：SBT40100VCT 的高电压和大电流特性使其非常适合用于笔记本电脑、智能手机等设备的电源适配器中，能够提供高效的电源转换，减少发热并提高系统稳定性。
　　LED驱动器：在LED照明系统中，该MOSFET可用于构建高效的恒流驱动电路，确保LED光源的亮度稳定并延长使用寿命。
　　DC-DC转换器：适用于各类DC-DC降压或升压转换器，尤其是在高频率工作条件下，能够提供快速的开关响应和低导通损耗，提升整体效率。
　　AC-DC电源模块：作为主开关元件，用于构建AC-DC转换器，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
　　电池管理系统：可用于电池充放电控制电路中，确保电池在安全的电流和电压范围内工作，提升电池系统的可靠性和寿命。
　　电机驱动电路：在低电压大电流的电机控制系统中，该器件可用于构建H桥驱动电路，实现高效的电机控制。