类型：硅双极型晶体管（BJT）
　　最大工作频率：2.5 GHz
　　输出功率：20 W（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：TO-220AB
　　热阻（RθJC）：1.5 °C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

SBT20120LCT具备多项优异的电气和物理特性，适用于要求严格的射频功率放大应用。该晶体管的工作频率可达2.5 GHz，能够在UHF到微波频段提供高效的功率输出。其典型输出功率为20 W，在通信系统中能够满足高线性度和低失真的需求。该器件的增益典型值为12 dB，具有良好的放大性能，同时保持较低的噪声系数，有助于提升接收系统的灵敏度。
　　在可靠性方面，SBT20120LCT采用硅双极型工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性。其热阻（RθJC）为1.5 °C/W，能够在高功率工作环境下有效散热，确保长时间稳定运行。此外，该晶体管可在-65°C至+150°C的宽温度范围内工作，适应各种恶劣环境条件。
　　该器件的封装形式为TO-220AB，便于安装在散热片上，同时也易于集成到现有的射频电路设计中。TO-220AB封装具有良好的机械强度和热传导性能，能够有效保护芯片免受外部应力和热损伤。

SBT20120LCT广泛应用于多种射频和微波通信系统，尤其适合用作基站、无线接入点和广播设备中的功率放大器。在CDMA、WCDMA、WiMAX等现代无线通信系统中，该晶体管能够提供高线性度和高效率的功率放大，满足对信号质量和系统稳定性要求较高的场景。
　　此外，SBT20120LCT也适用于测试设备、工业控制系统和军事通信设备中的射频功率放大模块。其高可靠性和宽工作温度范围使其在恶劣环境下的应用中表现出色，例如车载通信系统、移动基站和远距离无线传输设备。
　　由于其良好的频率响应和功率输出能力，该晶体管也可用于射频加热、射频识别（RFID）系统和射频信号发生器等特殊应用领域。在这些应用中，SBT20120LCT能够提供稳定可靠的射频能量输出，支持高效的数据传输或能量传输。

RF3107、MRF6V2005N、CMRD1000C