时间：2025/8/14 18:40:33
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SBT20100VFCT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。SBT20100VFCT 封装形式为 PowerFLAT 5x6，适用于高密度电源设计和高效能功率转换应用。该器件还具备良好的热稳定性和过载能力，适合用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值为 40mΩ（Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：PowerFLAT 5x6
SBT20100VFCT 具备多项优良特性，使其在功率 MOSFET 领域中表现出色。首先，其导通电阻 Rds(on) 仅为 40mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的最大漏极电流可达 20A，支持高功率负载的应用需求。其先进的沟槽栅极技术不仅提高了器件的开关速度，还减少了开关损耗，使得 SBT20100VFCT 在高频应用中表现优异。
在热管理方面，PowerFLAT 5x6 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高温环境下依然稳定工作。此外，该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（可接受 4.5V 至 10V 的栅极电压），便于与各种驱动电路配合使用。
SBT20100VFCT 还具备优异的雪崩击穿耐受能力，能够承受瞬时过压和过流冲击，提高系统可靠性。其广泛的工作温度范围（-55℃ 至 175℃）使其适用于严苛的工业和汽车环境。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品对环保的要求。
SBT20100VFCT 广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器 OBC、启停系统）以及工业自动化控制系统。其高效率和高可靠性的特点使其成为电源管理和功率控制领域的优选器件。
STL20N100VF, STD20N100VF, STP20N100FI, FDPF20N100S
