时间：2025/8/15 0:10:38
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SBT10150LCT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。SBT10150LCT广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：150V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.2mΩ（典型值4.5mΩ）
栅极电荷（Qg）：180nC
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247AC
SBT10150LCT具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，提供更高的沟道密度和更小的芯片尺寸，从而提升性能并降低成本。此外，其高耐压能力（150V）使其适用于多种中高压功率转换系统。
该器件具有良好的热稳定性和散热性能，支持长时间高负载运行，适用于高温环境下的工业应用。SBT10150LCT的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，在高频开关电源中表现出色。同时，其封装形式（TO-247AC）具备优良的散热能力和机械稳定性，便于安装和散热片连接。
SBT10150LCT广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化控制、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及高功率LED驱动电源。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、高可靠性系统设计的理想选择。
STP100N150A, FDP100N150A, IRFP4468PBF
