时间：2025/8/15 13:51:35
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SBT10100VFCT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。这款MOSFET专为高效率功率转换系统设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种应用场合。SBT10100VFCT 采用高性能沟槽栅技术，具备低导通电阻、高耐压能力以及优良的热稳定性，适合在高电流和高频工作条件下运行。该器件采用PowerFLAT 5x6封装形式，具备良好的散热性能，便于在紧凑型电路板设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A（在Tc=25°C时）
导通电阻(RDS(on))：最大值为170mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
SBT10100VFCT 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其导通电阻RDS(on)非常低，在VGS=10V时最大仅为170mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的漏源耐压高达100V，可支持较高电压的功率转换应用，同时具备较强的过压承受能力。
此外，SBT10100VFCT 使用先进的沟槽栅技术，提供良好的开关性能，降低开关损耗，并确保在高频操作下的稳定性。其最大连续漏极电流为10A，适用于中高功率级别的负载控制和电源转换应用。
该MOSFET的PowerFLAT 5x6封装具备优良的热性能，可有效散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的可靠性与寿命。该封装形式还具有较小的封装尺寸，有利于节省PCB空间，适用于紧凑型电子设备设计。
在可靠性方面，SBT10100VFCT 支持宽温度范围（-55°C至175°C），可适应严苛的环境条件，适用于工业控制、汽车电子等对稳定性要求较高的应用领域。
SBT10100VFCT 常用于各类功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及电源管理模块等。其高效率和良好的热性能使其在便携式设备、工业自动化、智能家电、LED照明驱动及车载电子系统中均有广泛应用。
例如，在电源管理应用中，SBT10100VFCT 可作为主开关元件用于同步整流或Buck/Boost拓扑结构，以实现高效的电压转换。在电机控制和驱动电路中，它可用于H桥结构控制直流电机的正反转和调速。此外，该器件还可用于电池充放电管理电路，作为高效的开关元件控制充放电路径。
由于其优异的性能和可靠性，该MOSFET也常被用于汽车电子系统中，如车载充电器、车灯控制系统、电动助力转向系统（EPS）等应用，满足汽车电子对高可靠性和高效率的严苛要求。
IPD180N10N5, STD10NF10LL
