时间：2025/8/15 5:41:54
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SBT10100VCT 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管，常用于高频率和高功率的应用场景。这款晶体管以其良好的高频性能和稳定性而闻名，适合用于功率放大、射频（RF）放大和开关应用。SBT10100VCT 采用 TO-252（也称为 DPAK）封装，具有良好的热管理和可靠性，适合在各种电子设备中使用。
晶体管类型：NPN 型双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：5A
最大功率耗散（PD）：50W
频率响应（fT）：100MHz
增益（hFE）：在 IC=2A 时，典型值为 50
封装类型：TO-252（DPAK）
SBT10100VCT 晶体管具有优异的高频性能，能够满足射频和功率放大器的需求。其最大集电极-发射极电压为 100V，能够在高压环境下稳定工作。该晶体管的最大集电极电流为 5A，适合高电流应用。此外，其最大功率耗散为 50W，具有出色的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
这款晶体管的增益特性（hFE）在集电极电流为 2A 时，典型值为 50，表明其具有良好的电流放大能力。TO-252（DPAK）封装形式不仅节省空间，还便于散热，适合在紧凑型电子设备中使用。SBT10100VCT 还具有较低的饱和电压（VCE(sat)），有助于提高能效并减少热量产生。
SBT10100VCT 主要用于需要高功率和高频率性能的电子电路中。它广泛应用于射频（RF）放大器、音频功率放大器、电源开关电路和工业控制设备。此外，该晶体管还可用于电机驱动、逆变器、电源管理和高功率 LED 驱动电路中。其优异的高频性能使其在无线通信设备和广播设备中具有重要应用价值。
MJ15003G、TIP35C、MJ15024、BDW93C
