时间：2025/9/20 22:10:15
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SBT10010JST是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟道技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和热稳定性，适用于多种电力电子场景。SBT10010JST的封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装型封装具备良好的散热能力，适合在空间受限但需要较高功率输出的应用中使用。该MOSFET能够在100V的漏源电压下工作，最大连续漏极电流可达70A，使其成为中高压功率转换系统的理想选择。由于其出色的电气特性和可靠性，SBT10010JST广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统以及电池供电设备等领域。此外，该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，提升了系统在恶劣工作环境下的鲁棒性。
型号：SBT10010JST
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS=10V, ID=35A
导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=35A
连续漏极电流(ID)：70A @ TC=25℃
脉冲漏极电流(IDM)：280A
功耗(PD)：200W @ TC=25℃
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
栅极电荷(Qg)：60nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=50V
开启延迟时间(td(on))：15ns
关断延迟时间(td(off))：35ns
封装类型：TO-252 (DPAK)
SBT10010JST采用先进的Trench沟道工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适用于大电流应用场景。该器件的低栅极电荷（Qg=60nC）和低输入电容（Ciss=2800pF）使其具备快速开关能力，有效降低开关损耗，提升高频工作的可行性。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，有助于减小磁性元件体积并提高功率密度。
该MOSFET具备优良的热性能，TO-252封装通过底部散热片可实现高效的热传导，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其最大功耗可达200W（TC=25℃），表明其在良好散热条件下能够承受较大的持续功率。此外，器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛环境，包括工业级和汽车级应用。
SBT10010JST还内置了较强的抗静电（ESD）保护能力，并具有较高的雪崩击穿耐量，能够在电压瞬变或感性负载切换过程中提供额外的安全保障。其栅源电压范围为±20V，支持稳定的栅极驱动控制，避免因过压导致的器件损坏。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环保的严格要求。这些综合特性使SBT10010JST在高性能电源设计中表现出色。
SBT10010JST广泛应用于各类中高功率电源转换系统。在同步整流型DC-DC降压变换器中，它常被用作主开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率，尤其适用于服务器电源、通信设备电源模块等对能效要求较高的场合。在电机控制系统中，如直流无刷电机驱动或步进电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，提供高效、可靠的电流控制能力。
此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，尤其是在电动工具、电动自行车及储能系统中，用于实现电池组的高效率充放电管理。在逆变器和UPS不间断电源系统中，SBT10010JST可用于直流侧开关单元，帮助实现电能的高效转换与传输。
由于其TO-252封装便于自动化贴装和回流焊工艺，因此在大批量生产的消费类电子产品中也得到广泛应用，例如大功率LED驱动电源、笔记本电脑适配器、工业电源模块等。同时，其高可靠性和宽温度工作范围也使其适用于部分汽车电子应用，如车载充电器或辅助电源系统。
AOTF10N100,AOZ138PI,SiHF100N10E
