SBS804-TL 时间：2025/12/28 10:18:54 阅读：11

SBS804-TL是一款由AOS（Alpha and Omega Semiconductor）生产的双N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低电压应用设计，广泛用于便携式电子产品和电池供电设备中。SBS804-TL封装在小型化的1.2mm x 1.2mm DFN1212封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合空间受限的应用场景。两个MOSFET共用源极连接，适用于同步整流、负载开关、电源管理单元以及电池保护电路等拓扑结构。其高集成度和小尺寸使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品的理想选择。此外，SBS804-TL符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性，能够在工业温度范围内稳定工作。

参数

型号：SBS804-TL
　　制造商：AOS (Alpha and Omega Semiconductor)
　　器件类型：双N沟道MOSFET
　　封装类型：DFN1212 (1.2mm x 1.2mm)
　　通道数：2
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)，每个通道：5.6A @ TA=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　导通电阻(RDS(on))，典型值：8.5mΩ @ VGS=4.5V, 每个通道
　　导通电阻(RDS(on))，最大值：11mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：典型值1.0V，范围0.7V~1.3V
　　输入电容(Ciss)：约420pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约140pF
　　反向恢复时间(trr)：非常低，适用于高频开关
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

SBS804-TL采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了超低的导通电阻与优异的开关性能，在同类产品中表现出色。其RDS(on)最大仅为11mΩ（在VGS=4.5V条件下），显著降低了导通损耗，提高了系统整体能效。由于采用双N沟道设计且共源极配置，非常适合用于同步降压转换器或双向负载开关电路中，能够有效减少外部元件数量并简化PCB布局。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，提升高频工作的效率。同时，其输入电容和输出电容均经过优化，确保在高速开关应用中的稳定性与响应速度。
　　SBS804-TL的小型DFN1212封装不仅节省宝贵的PCB空间，还具备优良的散热能力，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，从而支持较高的持续电流输出。这种封装无铅且符合RoHS指令要求，适用于自动化贴片生产工艺。器件具有良好的热稳定性和抗冲击能力，可在严苛环境下长期运行。此外，其阈值电压适中（典型值1.0V），兼容3.3V及以上的逻辑电平驱动信号，便于与现代控制器直接接口，无需额外电平转换电路。
　　该MOSFET还具备较强的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）保护特性，增强了系统的鲁棒性。内部结构经过优化以减少寄生参数，抑制米勒效应，降低开关过程中的振铃现象。这些特性使得SBS804-TL在电池管理系统、DC-DC转换器、USB充电开关、热插拔控制等对可靠性和效率要求较高的应用中表现优异。

应用

SBS804-TL广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块。典型应用场景包括移动设备中的电池保护电路，作为正负极通断控制开关，配合保护IC实现过充、过放和短路保护功能。在同步整流型DC-DC降压变换器中，它可作为上下管使用，替代肖特基二极管以提高转换效率，特别适用于12V转5V或5V转3.3V等低压大电流供电系统。此外，该器件也常用于负载开关电路，控制不同功能模块的供电通断，如显示屏背光电源、外设电源域管理等，有效降低待机功耗。
　　在热插拔或USB电源管理设计中，SBS804-TL可用于实现软启动和浪涌电流限制，防止系统上电时产生过大冲击电流。其快速响应能力和低导通电阻使其成为高性能电源路径控制的理想选择。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，由于空间极其有限，SBS804-TL的小尺寸优势尤为突出。同时，也可用于电机驱动、LED驱动以及各种需要双N沟道MOSFET配对使用的模拟开关场合。得益于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，该器件同样适用于工业级和汽车电子外围辅助电源系统。