类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大均方根电压（VRMS）：70V
　　最大直流阻断电压（VDC）：100V
　　平均整流电流（IF(AV)）@ 80°C：5.0A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）@ 8.3ms：150A
　　最大正向电压（VF）@ 5.0A, TJ=25°C：0.98V
　　典型正向电压（VF）@ 5.0A, TJ=25°C：0.87V
　　最大反向漏电流（IR）@ 100V, TJ=25°C：200μA
　　最大反向漏电流（IR）@ 100V, TJ=125°C：1.0mA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：40°C/W（典型PCB布局）
　　热阻抗（RθJC）：2.5°C/W

SBR5U100D1-13的核心优势在于其优化的肖特基势垒结构，实现了低正向压降与适度反向漏电流之间的良好平衡，特别适合中等电压、大电流的直流电源整流场景。其正向压降在5A工作电流下仅为0.87V左右，相较于传统硅PN结二极管可减少约30%-40%的导通损耗，从而显著提高电源系统的能效，尤其在便携式设备或散热受限的应用中尤为重要。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎为零，反向恢复电荷Qrr极小，避免了在高频开关过程中产生严重的开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统稳定性与可靠性。这种特性使其成为同步整流拓扑中理想的替代方案之一，即使在非同步设计中也能有效抑制电压尖峰。
　　该器件采用双芯片共阴极配置，允许在单个SMA封装内实现两个独立整流通道，节省PCB空间并简化布局布线。SMA封装具有良好的热传导性能，配合适当的PCB铜箔面积设计，可有效将内部热量传导至外部环境，确保长时间高负载运行下的结温处于安全范围内。器件通过AEC-Q101可靠性认证，具备优良的抗湿性、抗热冲击性和长期稳定性，适用于严苛的工业和车载环境。此外，其无铅且符合RoHS指令的设计满足现代电子产品对环保法规的要求，支持回流焊和波峰焊等多种组装工艺。数据手册提供了详细的热性能曲线、电流降额曲线及瞬态热阻抗特性，便于工程师进行热管理和可靠性评估。

SBR5U100D1-13广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在DC-DC降压或升压转换器中作为输出整流二极管，利用其低VF特性提升轻载至满载全范围效率。在电池充电管理电路中，它可用于防止反向放电或实现多电源路径选择。由于其快速开关特性，也常被用作续流二极管（Flyback Diode）来保护MOSFET或IGBT等功率开关器件免受感性负载产生的反电动势损害，例如在电机驱动、继电器控制和电磁阀驱动电路中。此外，在太阳能光伏逆变器、LED驱动电源和适配器中，SBR5U100D1-13能够提供可靠的功率处理能力和稳定的电气性能。其双通道结构特别适合半桥同步整流架构或双路输出电源设计，减少元件数量并提高集成度。在通信电源模块、网络设备供电单元以及消费类电子产品如笔记本电脑、显示器和家用电器的电源板上均有广泛应用。

SB5U100D1-13
　　MBR5U100T
　　VS-5U100FN05
　　B5U100