SBR5626 时间：2025/9/2 22:23:02 阅读：16

SBR5626是一款由Microsemi公司（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的双刀双掷（DPDT）射频（RF）开关二极管，广泛用于需要高频信号控制的应用中。该器件采用硅半导体工艺制造，具备快速开关速度和良好的射频性能，适用于通信、雷达、测试设备和工业控制系统等领域。SBR5626采用SOT-23封装形式，具有小型化、高可靠性以及良好的热稳定性等优点。

参数

类型：射频开关二极管
　　封装类型：SOT-23
　　最大工作频率：26 GHz
　　最大正向电流：300 mA
　　最大反向电压：20 V
　　导通时间：12 ns
　　关断时间：10 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　结温：+175°C
　　输入功率容限：+30 dBm
　　隔离度（@26 GHz）：25 dB
　　插入损耗（@26 GHz）：0.35 dB

特性

SBR5626是一款高性能的射频开关二极管，其核心特性在于其在高频下的优异表现。该器件在高达26 GHz的频率下仍能保持稳定的电气性能，适合用于毫米波和高频通信系统。其低插入损耗（在26 GHz下仅为0.35 dB）确保了信号传输的高效性，而高隔离度（25 dB）则有效降低了信号路径之间的干扰。此外，SBR5626具有快速的开关速度，导通和关断时间分别仅为12 ns和10 ns，适用于需要高速切换的应用场景。
　　该器件的结构设计优化了热性能，使其在高功率条件下仍能保持稳定运行。SBR5626能够承受高达+30 dBm的输入功率，适用于需要高功率耐受能力的系统。此外，其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具有良好的焊接可靠性和热稳定性。
　　从环境适应性来看，SBR5626可在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适用于工业级和军事级应用。其存储温度范围更宽，达到-65°C至+175°C，确保了在极端环境下的可靠性。

应用

SBR5626广泛应用于高频通信系统，如5G基础设施、微波回传设备、毫米波雷达以及测试与测量仪器中。在无线基础设施中，它可用于射频前端的天线切换或滤波器选择。在雷达系统中，SBR5626可作为射频信号路径的控制元件，实现快速切换和高隔离度。此外，该器件也适用于工业控制系统和自动测试设备（ATE），用于高频信号的路由和管理。