时间：2025/12/26 11:19:00
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SBR40U60CTE是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双共阴极配置，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件由两颗独立的肖特基二极管集成在一个TO-247封装内，具有低正向压降和快速开关特性，适用于高频整流、DC-DC转换器、逆变器以及开关模式电源（SMPS）等场合。SBR40U60CTE的额定平均正向整流电流为40A，最大反向重复峰值电压为60V，适合在低压大电流输出的应用中替代传统快恢复二极管以提高整体能效。其金属-半导体结结构显著降低了导通损耗，同时减少了反向恢复时间，从而降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，满足工业级和汽车级应用的可靠性要求。SBR40U60CTE通过优化芯片设计和封装工艺，实现了低热阻和高功率密度，有助于提升电源系统的功率密度与长期运行可靠性。
该器件常用于同步整流、电池充电系统、太阳能逆变器、服务器电源模块及电动车辆的车载充电机等场景。由于其出色的电气性能和坚固的TO-247封装形式，SBR40U60CTE在需要高效散热和紧凑布局的设计中表现出色。制造商通常提供详细的数据手册，包含温度降额曲线、瞬态热阻抗参数、机械尺寸图等关键信息，便于工程师进行热设计和PCB布局规划。
类型：肖特基势垒二极管
配置：双共阴极
封装：TO-247
平均正向整流电流：40A
最大反向重复峰值电压：60V
最大正向压降：0.54V @ 20A, 125°C
最大反向漏电流：3.0mA @ 60V, 125°C
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
热阻结到壳：1.2°C/W
峰值浪涌正向电流：300A @ 8.3ms sine wave
SBR40U60CTE的核心优势在于其卓越的低正向压降特性，在20A电流和125°C工作温度条件下，典型正向压降仅为0.54V，这一指标显著低于传统硅质PN结二极管，有效降低了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体转换效率。特别是在低电压输出（如12V或更低）的大电流应用中，这种低VF表现带来的节能效果尤为明显。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关环境中不会产生明显的开关损耗或电压尖峰，从而减少电磁干扰并提高系统稳定性。该器件采用双共阴极结构，两个二极管共享同一个阴极连接，非常适合用于中心抽头式整流电路或双路同步整流拓扑，简化了PCB布线并提高了功率密度。
SBR40U60CTE具备优良的热性能，TO-247封装提供了较大的散热面积和较低的热阻（典型值1.2°C/W），使其能够有效地将芯片热量传导至外部散热器，确保长时间满载运行下的结温处于安全范围内。器件的工作结温最高可达175°C，表明其具有较强的耐高温能力，适用于恶劣环境下的工业和车载应用。此外，该器件还具有较高的浪涌电流承受能力，可承受高达300A的非重复性浪涌电流，增强了在启动或负载突变情况下的鲁棒性。制造过程中采用了先进的金属化技术和晶圆钝化工艺，提高了器件的可靠性和长期稳定性。所有参数均经过严格测试，并符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
SBR40U60CTE主要应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。在开关模式电源（SMPS）中，特别是用于服务器电源、通信电源和工业电源的次级侧整流环节，该器件凭借其低正向压降和零反向恢复特性，能够显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器中，尤其是在多相交错并联架构下，SBR40U60CTE可用于同步整流拓扑，替代MOSFET驱动复杂的有源同步整流方案，在成本与性能之间实现良好平衡。该器件也广泛用于不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能光伏系统中的直流母线整流部分，帮助提高能源利用率。在电动汽车领域，SBR40U60CTE可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器中，满足高可靠性与高效率的要求。此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）中的防反接保护和能量回馈路径，以及电机驱动器中的续流路径，防止感性负载产生的反电动势损坏主控开关元件。由于其TO-247封装易于安装散热片，适合风冷或自然对流散热设计，因此在紧凑型高功率设备中具有广泛应用前景。
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"SBT40U60SP5",
"SBR40U60CG",
"BSC40N60ND",
"IRF3205",
"STPS40L60U"
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