型号：SBR40U200PT
　　类型：肖特基势垒二极管
　　封装：TO-247
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　最大直流阻断电压（VR）：200V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：40A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A
　　最大正向电压（VF）：0.92V @ 20A, 150°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W

SBR40U200PT的核心优势在于其采用了优化的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，典型值在20A电流下仅为0.92V，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于高电流应用场景尤为重要，因为它直接减少了发热并提升了能效比。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，这使得SBR40U200PT非常适合用于高频开关电源拓扑，如同步整流、有源钳位等电路中，有效避免了传统PN结二极管在高频下因反向恢复电荷引起的开关损耗和电磁干扰问题。
　　该器件具备高达40A的平均正向整流电流能力，结合TO-247封装出色的散热性能，能够在持续高负载条件下稳定运行。其热阻RθJC仅为1.2°C/W，意味着从PN结到外壳的热量传递非常高效，有利于系统进行热管理设计。此外，SBR40U200PT的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应极端环境下的应用需求，确保在高温或低温工况下仍能维持可靠的电气性能。器件还具备较强的浪涌电流承受能力，峰值可达250A，可在启动或短时过载情况下提供足够的安全裕度。
　　在可靠性方面，SBR40U200PT通过了严格的工业级认证，符合AEC-Q101标准要求，具备良好的长期稳定性与抗老化能力。其反向漏电流在150°C高温下控制在200μA以内，虽然相较于硅PN二极管略高，但在同类肖特基产品中属于优秀水平，尤其适合高温环境下对漏电敏感度要求适中的应用。整体而言，SBR40U200PT凭借其低VF、高电流、快恢复和良好热性能，在高功率密度电源设计中展现出卓越的技术优势。

SBR40U200PT广泛应用于各类高效率电源系统中，特别是在需要大电流输出和高开关频率的场合。典型应用包括服务器和数据中心的高功率电源模块（如48V转12V DC-DC转换器）、电信基站电源、工业用开关电源（SMPS）、UPS不间断电源系统以及太阳能逆变器中的续流与整流电路。由于其低正向压降特性，常被用于同步整流拓扑中替代MOSFET以简化驱动设计，或作为主整流元件提升转换效率。此外，该器件也适用于电动汽车充电设备、电机驱动电源和高端计算机主板供电系统等对能效和散热要求较高的领域。其高耐压等级（200V）使其能够在48V总线系统中安全运行，满足现代通信与工业电源架构的发展趋势。得益于其优异的热稳定性和浪涌耐受能力，SBR40U200PT也可用于恶劣环境下的工业控制设备和户外电源装置，确保长时间连续运行的可靠性。

SR40U200PBF