时间：2025/12/26 10:11:13
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SBR40U100CTE是一款高性能的肖特基势垒整流二极管，采用TO-277B（DPAK）表面贴装封装，专为高效率电源转换应用而设计。该器件由两颗独立的40A额定电流的肖特基二极管组成，以中心抽头（Center-Tap）结构集成在一个封装内，特别适用于低压大电流输出的同步整流或非隔离式DC-DC变换器中。其主要特点是低正向压降、快速反向恢复和出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。SBR40U100CTE广泛应用于服务器电源、通信设备电源、工业电源模块以及便携式大功率充电器等对效率和散热有严苛要求的场合。
该器件的重复峰值反向电压（VRRM）为100V，确保在常见低压直流系统中具备足够的电压裕量。其超低的正向导通压降可显著降低导通损耗，提升整体电源转换效率。此外，TO-277B封装具有良好的热传导能力，可通过PCB上的散热焊盘将热量有效导出，适合自动化表面贴装工艺，有助于提高生产效率和产品可靠性。
器件型号：SBR40U100CTE
封装类型：TO-277B (DPAK)
配置：双二极管中心抽头（Center-Tapped Dual Schottky Diode）
最大重复反向电压 VRRM：100V
平均整流电流 IO（每二极管）：40A
峰值非重复浪涌电流 IFSM：300A
最大正向压降 VF @ 40A, TJ=125°C：0.56V
最大反向漏电流 IR @ 100V, TJ=125°C：5mA
工作结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +175°C
热阻 RθJA（典型值）：1.5°C/W（依PCB布局而定）
热阻 RθJC（典型值）：0.4°C/W
SBR40U100CTE的核心优势在于其卓越的电学性能与热管理能力的结合。首先，该器件采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向压降，在40A工作电流下，典型VF仅为0.56V，这大幅降低了导通期间的能量损耗，尤其在低输出电压（如3.3V或5V）的大电流电源系统中，效率提升效果尤为明显。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，因此不存在少数载流子的存储效应，从而具备极快的开关速度和近乎瞬时的反向恢复特性，避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰和相关电磁干扰（EMI），有助于简化滤波设计并提高系统稳定性。
其次，该器件的双40A中心抽头结构非常适合用于单路大电流输出的全波整流拓扑，例如在VRM（电压调节模块）或POL（Point-of-Load）转换器中替代多个分立二极管，不仅节省了PCB空间，还减少了焊接点数量，提升了系统可靠性。其高达175°C的最大结温允许器件在高温环境中持续工作，配合高效的散热设计，可在恶劣工况下保持性能稳定。TO-277B封装底部带有大面积金属焊盘，可直接焊接至PCB的接地/散热层，实现从芯片到电路板的高效热传导，有效控制温升。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于现代绿色电子产品制造。内置的热保护机制和稳健的晶粒设计也增强了其抗浪涌能力和长期可靠性，使其成为高密度、高效率电源系统的理想选择。
SBR40U100CTE广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。典型应用场景包括电信基础设施中的48V转12V中间母线转换器、数据中心服务器主板上的CPU供电模块（VRM）、工业自动化设备的DC-DC电源单元、高端图形处理器（GPU）供电系统以及高功率USB-C PD充电器的次级整流电路。在这些应用中，电源效率、热管理和空间紧凑性是关键设计考量因素，SBR40U100CTE凭借其低VF、高电流能力和优良散热性能，能够显著提升系统能效并降低冷却需求。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）中的防反接保护、太阳能微逆变器的辅助电源整流以及汽车电子中的车载充电机（OBC）辅助电路等场景。由于其表面贴装特性，特别适合自动化高速贴片生产线，广泛用于大规模电子产品制造领域。
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"SBRT40U100CTE",
"SBR40U100CT",
"SS40100CT"
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