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SBR40150CTFP 发布时间 时间:2025/12/26 9:59:44 查看 阅读:12

SBR40150CTFP是一款高性能的肖特基势垒二极管,采用先进的平面技术制造,专为高效率电源转换应用而设计。该器件由ONSEMI(安森美)公司生产,具备低正向电压降和快速开关特性,适用于多种电力电子电路中,尤其是在需要高效能和低损耗的应用场合。SBR40150CTFP采用TO-277封装形式,具有良好的热性能和机械稳定性,适合表面贴装安装方式,便于在紧凑型电源设计中使用。
  这款二极管的最大重复反向电压为150V,额定平均整流电流可达40A,能够在高温环境下稳定工作,结温范围通常在-65°C至+175°C之间。其低VF(正向压降)特性有助于减少导通损耗,提高系统整体效率,特别适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及续流和极性保护电路等场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

型号:SBR40150CTFP
  制造商:ONSEMI
  器件类型:肖特基势垒二极管
  最大重复反向电压(VRRM):150V
  最大平均整流电流(IO):40A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):300A
  最大正向电压降(VF):1.55V @ 40A
  最大反向漏电流(IR):1.0mA @ 150V
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  封装类型:TO-277
  安装类型:表面贴装

特性

SBR40150CTFP的核心优势在于其优异的电学性能与高可靠性设计。首先,该器件采用了优化的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降,在40A的大电流条件下仍能保持低于1.55V的VF值,显著降低了功率损耗,提升了能源利用效率。这一特性对于高负载运行下的电源系统尤为重要,能够有效减少发热,延长设备寿命,并降低散热设计的复杂度。
  其次,该二极管具备出色的热管理能力。TO-277封装不仅体积小巧,还具备优良的热传导路径,使得器件在高功率密度应用中也能维持较低的工作温度。其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其能在极端环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子及可再生能源系统等严苛应用场景。
  再者,SBR40150CTFP具有快速恢复特性,由于肖特基二极管本身无少子存储效应,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计,极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提高了系统的动态响应能力和稳定性。这使其成为高频开关电源和同步整流拓扑中的理想选择。
  此外,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环测试,确保在长期运行中保持稳定的电气参数。其符合AEC-Q101汽车级认证标准,可用于车载充电系统、DC-DC变换器和电机驱动等对安全性和耐久性要求极高的领域。同时,产品采用无卤素材料和绿色工艺制造,符合现代绿色电子产品的环保趋势。

应用

SBR40150CTFP广泛应用于各类高效率电源系统中,典型用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,尤其适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块;在DC-DC转换器中作为主整流或续流二极管使用,发挥其低VF和快速响应的优势;也可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)中的防反接和能量回馈回路。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载OBC(车载充电机)、DC-DC转换器以及辅助电源单元,支持48V轻混系统和电动汽车中的高压配电网络。此外,在LED照明驱动、电机驱动器和消费类大功率适配器中也有广泛应用。其高电流承载能力和紧凑封装使其成为空间受限但功率需求较高的设计方案中的优选元件。

替代型号

SBF40150CTFP
  SBR40150CT
  STPS40L150CT

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SBR40150CTFP参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列SBR®
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 20A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 150V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)20A
  • 电压 - (Vr)(最大)150V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型超级势垒
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 隔离片
  • 供应商设备封装ITO-220AB
  • 包装管件